器件延时的定义
器件延时数据是根据物理库中实际版图的RC参数，结合晶体管级的理论参数模型，经过集成电路仿真程序（SPICE）仿真，并考虑不同输入信号的转换时间（transition time）和输出端的负载变量而建立的数据表。
器件延时表示信号通过一个逻辑门所经历的时间，反映了门对输入信号变化响应的快慢。通过输入信号电压变化的50%到输出信号电压变化50%所需要的时间来定义门延时的大小。器件延时又称传播延时（propagation delay）。它不仅与电路工艺和电路结构有关，还与输入信号斜率（transition time）和其负载有关。
器件延时的理论模型（即晶体管级的理论参数模型）
1、NLDM：Non-linear Delay Models非线性线载模型。最基本的dotlib.电压源模型，cap值是单一值。时序工具以查找表（look-up table）或基于SPDM线性插值的方式捕获单个数据点进行时序分析，并将驱动器描述为电压源模型。
在90nm工艺一下，由于晶体管的特性变得很复杂，这种模型无法反映延时参数与输入信号斜率和负载的关系，所以90nm以下不推荐使用这种lib。
2、ECSM：Effective Current Source Model，Cadence的有效电流源模型。ECSM是对liberty的补充（lib SNPS所有），在lib中以V(t)曲线来描述。ECSM使用表征化的电流和电压值产生在不同输入斜率和输出负载电容组合以及多个时间间隔下的I-V曲线，该I-V曲线可创建输出驱动器模型，其中每个驱动器被表述为一个电压控制下的电流源。[2]
3、CCSM：Composite Current Source Model。Synopsys的复合电流源模型，表现为lib中有IVtable。
CCSM与ECSM中的input cap值都有多个，这一点与NLDM不同，这是因为在90nm以下，input pin cap是同时由slew和output load来决定的。[1]
[1]http://blog.sina.com.cn/s/blog_6ba197f30102xa55.html
[2]数字集成电路物理设计-陈春章
