MT6739 Android 8.1 I2C口电平转换低电平无法到0V的解决办法
项目使用MOS管做I2C的电平转换，I2C有内部上拉电阻，如下图：
同样的电路在其他平台已经验证过了，到了MT6739这个平台发现，当I2C为master，向salve发送数据时，S1点(蓝色)和D1点(黄色)的低电平如下：
可以看到S1点没有完全到0V，导致MOS管没有完全导通，所以D1点也没有降为0V；
感觉像是GPIO口内部，低电平时候，先经过一个等效电阻R之后，才到GND，如图：
为了验证上面的猜测，将电平转换电路的R2电阻，改为47K，减小MOS管的DS电流之后，S1点(蓝色)和D1点(黄色)的低电平如下：
可以看到此时S1和D1的低电平都接近0V，推测原因，可能是因为，DS的电流减小之后，流过内部等效电阻R的电流减小，R上的压降也减小，S1点电压接近0V，MOS管导通，D1点也可以被拉到接近0V；
猜测内部电阻产生的原因是因为IO口内部有电流限制，当限制的电流比较小的时候，内部等效电阻R的阻值就比较大：
将电平转换电路的R2电阻，恢复为4.7K，然后修改IO口的驱动电流到最大值，下面DRV_CFG寄存器：
再测S1点(蓝色)和D1点(黄色)的低电平如下：
可以看到此时S1和D1的低电平都接近0V，放大看如下图：
但最低还是没有完全到0V，推测原因，可能是因为，增大IO驱动电流之后，内部等效电阻R的阻值确实减小，但是还有一定的阻值；
所以，确实是因为电流限制的原因，导致内部形成等效电阻，哪如何能不限制电流？
询问MTK后，修改如下寄存器：
将EH_CFG寄存器设置为0，GPIO mode，测试如下：
可以明显看到，低电平几乎是0V，并且低电平下降速率也更快了，和其他平台的表现一致，回头再修改DRV_CFG寄存器，基本上对波形没有什么影响了！
所以，应该是EH_CFG寄存器为1，I2C mode的时候，IO口对电流的限制比较小，导致内部等效电阻R阻值比较大；当EH_CFG寄存器为0，GPIO mode的时候，IO口对电流的限制比较宽，或者几乎没有限制，内部等效电阻R阻值非常小！
