到目前为止，设计人员可以使用的存储技术是易变的，这意味着在断电后，存储器中的数据内容会丢失。但是，随着Everspin Technologies推出256Mb STT-MRAM，系统现在可以拥有像DRAM这样具有高性能的内存，但可以提供持久的非易失性数据存储。
图1：STT-MRAM
STT-MRAM代表自旋转移转矩磁阻随机存取存储器。写入STT-MRAM设备的任何数据本来就是持久的，不需要任何电池或超级电容器。通过写入存储阵列来捕获数据，该存储阵列可利用极化电流控制电子自旋。 STT-MRAM的性能类似于DRAM，但不需要刷新。当前可用的接口是ST-DDR3，它与标准JEDEC DDR3非常相似。将来还将提供ST-DDR4接口，从而带来更高的速度和更大的容量。
STT-MRAM技术的一些优点是：
•非易失性数据
•性能特征类似于DRAM
记忆
•十亿次以上的数据耐久性
•DDR3兼容封装和未来的DDR4
兼容的脚印
•ST-DDR3接口和将来的ST-DDR4接口
•字节读写（无块）
STT-MRAM是通过自旋电流实现信息写入的一种新型非易失性磁随机存储器，是磁性存储器MRAM 的二代产品。STT-MRAM存储单元的核心仍然是一个MTJ，由两层不同厚度的铁磁层及一层几个纳米厚的非磁性隔离层组成，它是通过自旋电流实现信息写入的