一、概述
巨量转移的难点在于，如何提升转移良率到99.9999 %(俗称的”六个九”)，且每颗芯片的精准度必须控制在正负 0.5 μm 以内。
传统的LED在封装环节，主要采用真空吸取的方式进行转移。但由于真空管在物理极限下只能做到大约80μm，而MicroLED的尺寸基本小于50μm，所以真空吸附的方式在MicroLED时代不再适用。
业界诞生出至少三种精准抓取（Fine Pick/Place）的技术：“静电力”、“凡德瓦力”和“磁力”、选择性释放（Selective Release）、自组装(Self-Assembly)及转印（Roll Printing）
1.静电力
静电力采用具有双级结构的转移头，在转移过程中，分别施于正负电压，当从衬底上抓取LED时，对一硅电极通正电，LED就会吸附在转移头上，当需要把LED放到既定位置时，对另外一个硅电极通负电，即可完成转移。
阵营代表： 苹果并购的 LuxVue/ Mikro Mesa
2.凡德瓦力
转移方式：使用弹性印模，结合高精度运动控制打印头，利用凡德瓦力，通过改变打印头的速度，让LED粘附在转移头上，或打印到目标衬底片的预定位置上。
3. 磁力
在切割之前，在Micro LED上混入诸如铁钴镍等磁性材料，利用电磁吸附和释放。
4.选择性释放派
选择性释放，直接从原有的衬底上将LED进行转移，目前实现方式最多的是图案化激光剥离（p-LLO）,即使用准分子激光，照射在生长界面上的氮化镓薄片上稀疏分离的模具大小区域，再通过紫外线曝光产生镓元素和氮气，做到平行转移至衬底，实现精准的光学阵列。
5.自组装派
利用刷桶在衬底上滚动，使得LED置于液体悬浮液中，通过流体力，让LED落入衬底上的对应井中。
6.转印派
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