RRAM 蕴含逻辑运算IMP

布尔逻辑运算: 与 或 非(三者构成一个完备集)
实质蕴涵逻辑 与 False构成一个完备集
2010年,HP在nature上提出了使用忆阻器替代现存的CMOS电平逻辑运算。
忆阻器结构:Pt/Ti/TiO2/Pt -->IMP
IMP简介: 若p,则q;
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以如果下雨,则不出门(A=>B)的例子进行理解。
下雨,不出门 ;正确
下雨, 出门 ;错误
如果不下雨,出不出门均可,即都正确;

RRAM中的蕴含逻辑
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上图为最基本逻辑运算电路单元,阵列中并联两个忆阻器(P,Q),然后串联一接地电阻(RG)。R(CLOSE)和R(OPEN)分别为忆阻器的LRS和HRS,阻值关系满足:R(CLOSE)<<RG<<R(OPEN)。
将两个待操作的逻辑变量写入忆阻器P和Q,分别用逻辑变量p和q代表忆阻器P和忆阻器Q的电阻状态。同时施加控制脉冲VCOND和VSet给忆阻器P和Q,实现蕴涵操作q’<–p IMP q;(详见导论324)

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