RCC时钟的设置
void RCC_Configuration(void){ //RCC时钟的设置
ErrorStatus HSEStartUpStatus;
RCC_DeInit(); /* RCC system reset(for debug purpose) RCC寄存器恢复初始化值*/
RCC_HSEConfig(RCC_HSE_ON); /* Enable HSE 使能外部高速晶振*/
HSEStartUpStatus = RCC_WaitForHSEStartUp(); /* Wait till HSE is ready 等待外部高速晶振使能完成*/
if(HSEStartUpStatus == SUCCESS){
/*设置PLL时钟源及倍频系数*/
RCC_PLLConfig(RCC_PLLSource_HSE_Div1, RCC_PLLMul_9); //RCC_PLLMul_x（枚举2~16）是倍频值。当HSE=8MHZ,RCC_PLLMul_9时PLLCLK=72MHZ
/*设置AHB时钟（HCLK）*/
RCC_HCLKConfig(RCC_SYSCLK_Div1); //RCC_SYSCLK_Div1——AHB时钟 = 系统时钟(SYSCLK) = 72MHZ（外部晶振8HMZ）
/*注意此处的设置，如果使用SYSTICK做延时程序，此时SYSTICK(Cortex System timer)=HCLK/8=9MHZ*/
RCC_PCLK1Config(RCC_HCLK_Div2); //设置低速AHB时钟（PCLK1）,RCC_HCLK_Div2——APB1时钟 = HCLK/2 = 36MHZ（外部晶振8HMZ）
RCC_PCLK2Config(RCC_HCLK_Div1); //设置高速AHB时钟（PCLK2）,RCC_HCLK_Div1——APB2时钟 = HCLK = 72MHZ（外部晶振8HMZ）
/*注：AHB主要负责外部存储器时钟。APB2负责AD，I/O，高级TIM，串口1。APB1负责DA，USB，SPI，I2C，CAN，串口2，3，4，5，普通TIM */
FLASH_SetLatency(FLASH_Latency_2); //设置FLASH存储器延时时钟周期数
/*FLASH时序延迟几个周期，等待总线同步操作。
推荐按照单片机系统运行频率：
0—24MHz时，取Latency_0；
24—48MHz时，取Latency_1；
48~72MHz时，取Latency_2*/
FLASH_PrefetchBufferCmd(FLASH_PrefetchBuffer_Enable); //选择FLASH预取指缓存的模式，预取指缓存使能
RCC_PLLCmd(ENABLE); //使能PLL
while(RCC_GetFlagStatus(RCC_FLAG_PLLRDY) == RESET); //等待PLL输出稳定
RCC_SYSCLKConfig(RCC_SYSCLKSource_PLLCLK); //选择SYSCLK时钟源为PLL
while(RCC_GetSYSCLKSource() != 0x08); //等待PLL成为SYSCLK时钟源
}
/*开始使能程序中需要使用的外设时钟*/
// RCC_APB2PeriphClockCmd(RCC_APB2Periph_USART1 | RCC_APB2Periph_GPIOA | RCC_APB2Periph_GPIOB |
// RCC_APB2Periph_GPIOC | RCC_APB2Periph_GPIOD | RCC_APB2Periph_GPIOE, ENABLE); //APB2外设时钟使能
// RCC_APB1PeriphClockCmd(RCC_APB1Periph_USART2, ENABLE); //APB1外设时钟使能
// RCC_APB1PeriphClockCmd(RCC_APB1Periph_USART3, ENABLE);
// RCC_APB2PeriphClockCmd(RCC_APB2Periph_SPI1, ENABLE);
// RCC_APB2PeriphClockCmd(RCC_APB2Periph_AFIO, ENABLE);
}
