看图说话，MOS其实是四端器件，这个模电有说，但我们平时用到的没有4个端的啊，因为制作的时候把图中的沉底和S级连在一起了。很容易看得出，本来是完全对称的，因为BS连在一起了，就不对称了，途中的PN结本来有2个，结果只有一个了，这个就是body diode了。5 k4 H' `9 j* `) s
那也很容易知道，假如BS没有连接在一起，就有2个二极管，Vgb不够，DS是不会导通的，虽然有二极管但是2个背靠背就不用关心了反正没有Vgb不导通。当然此时DS是可以互换的。
漏-源之间的寄生二极管能够承受的最大正向电流和管子的最大漏极电流等大。。甚至能再稍大一些。。
你研究下VMOS管的物理结构就明白了，正常工作时，该寄生结构就起到隔离作用，面积大的很。
设计中，这个指标不要太在意，关键不要超过最大耗散功率就好。
电路设计时也允许利用这个二极管通过大电流。。同步整流器就是电流反着流的。
但要注意：这个二极管的开关特性不甚理想，如果你需要反向快速关断的话，需要额外并联快恢复二极管。
我也在做电子负载，那次发现接反了单管16A不烧管以后，我就不再加防反接二极管了。。。。多加一个管就多一份热，反而增加不稳定性的危险，反正我是要做多管的，反接时4个管按标称可承受好38.4X4=153.6安了，就算到1/3也是50A上下， 怕毛。。。。感觉很难烧坏