二者同为SPI-Flash，前者为华邦公司产品，后者是GD公司产品。
W25Q80：
- 8M-bit 1024KB
- 80MHz clock operation
- 共有16个Block，每个Block有16个扇区，每个扇区4KB，每一页256个字节
- 每个设备有64位唯一ID
GD25Q80：
- 8M-bit 1024KB
- 120MHz 快速阅读
- 共有16个Block，每个Block有16个扇区，每个扇区4KB，每一页256个字节
- 每个设备有128位唯一ID
引脚：（二者引脚完全兼容）
寄存器：
W25Q80 状态寄存器（S15~S0）
BUSY：FLASH正在擦除或者正在写入
TB：Top/Bottom写保护位，与BP[2:0]构成更多组合
SEC：扇区保护位，与BP[2:0]构成更多组合
SRP0：状态寄存器保护位
这5位决定写保护的范围
GD25Q80 状态寄存器（S15~S0）
SUS：只读位，该位在擦除、编程、暂停指令后置1 个人感觉这位没什么用
CMP：与BP[4:0]构成更多的组合 默认置0，与W25q80保持兼容
HPM：该位置1表示FLASH当前是高性能模式 一般不用
LB：OTP位，写1，安全寄存器变为永久只读 一般不用
这6位决定写保护范围，其实除了S14，剩下的和W25Q80寄存器是一样的，都是S2~S6共5位
那么S14是什么东西呢？上文讲了，S14即CMP，CMP=0或1 时 只是保护的范围不同罢了
比如当CMP=0，S6~S2= 00010 时 写保护区域为 0E0000H-0FFFFFH 128KB（与W25Q80一样）
当CMP=1时，S6~S2=00010时 写保护区域为 000000H-0DFFFFH 896KB
默认CMP=0，即与W25Q80保持兼容。
指令表：
以下指令二者是一样的，实际上GD32Q80多了很多指令，比如和安全寄存器相关的编程，擦除，读取三条指令，但是通常我们也只会用到以下指令。
#define W25X_WriteEnable 0x06
#define W25X_WriteDisable 0x04
#define W25X_ReadStatusReg 0x05
#define W25X_WriteStatusReg 0x01
#define W25X_ReadData 0x03
#define W25X_FastReadData 0x0B
#define W25X_FastReadDual 0x3B
#define W25X_PageProgram 0x02
#define W25X_BlockErase 0xD8
#define W25X_SectorErase 0x20
#define W25X_ChipErase 0xC7
#define W25X_PowerDown 0xB9
#define W25X_ReleasePowerDown 0xAB
#define W25X_DeviceID 0xAB
#define W25X_ManufactDeviceID 0x90
#define W25X_JedecDeviceID 0x9F 值得注意的是，二者厂商的ID和设备ID是不同的，原子例程有个死循环验证厂商和设备ID，如果用的是GD25系列的Flash需要改下相关宏定义。
华邦的厂商和设备ID（不是芯片唯一ID）一般是 0xEFXX,GD是0xC8XX（XX由不同容量决定）。
综上所述，二者可以互相替换。