存储介质概述

1、纯粹的NandFlash和NorFlash

(1)这些是最早出现的、最原始的Flash颗粒组成芯片。也就是说NandFlash、NorFlash芯片只是对存储单元做了最基本的读写接口,然后要求外部Soc自己来管理Flash读写的控制器以和Flash进行读写时序。

(2)缺陷:1、读写接口时序比较复杂。2、内部无坏块处理机制,需要SoC自己来管理Flash的坏块;3、各家厂家的不同型号、系列的Flash接口都不一致,这就造成产品升级时很麻烦。

(3)NandFlash分MLC和SLC两种。SLC技术比较早,可靠性高,缺点容量做的不大(容量大的太贵了,一般SLC Nand都是512MB以下);MLC技术比较新,不成熟,可靠性差,优点是容量可以做很大很便宜,现在基本都在发展MLC技术。

2、SD卡、MMC卡、MicroSD、TF卡

(1)这些卡其实内部就是Flash存储颗粒,比直接的Nand芯片多了统一的外部封装和接口。

(2)卡都有统一的标准,譬如SD卡都是遵照SD规范了SD卡的读写速度、读写接口时序、读写命令集、卡的大小尺寸、引脚个数及定义。这样做的好处就是不同厂家的SD卡可以通用。

3、iNand、MoviNand、eSSD

(1)电子产品如手机、相机等,前些年趋势是用SD卡/TF卡等扩展存储容量;但是近年来的趋势是直接内置大容量的Flash芯片,而不是外部扩展卡。

(2)外部扩展卡时间长了卡槽可能会接触不良导致不可靠。

(3)现在主流的发展方向是使用iNand、MoviNand、eSSD(还有别的一些名字)来做电子产品的存储芯片。这些东西本质还是NandFlash的存储颗粒构成,再集成了块设备管理单元,综合了SD卡为代表的优势和原始的NandFlash芯片的优势。

(4)优势:1、向SD卡学习,有统一的接口标准(包括引脚定义、物理封装、接口时序)。2、向原始的Nand学习,以芯片的方式来发布而不是以卡的方式;3、内部内置了Flash管理模块,提供了诸如坏块管理等功能,让Nand的管理容易了起来。

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