一、PN结与MOSFET的工作原理（动画演示）
导电性：半导体介于导体和绝缘体之间，外部条件变化时， 半导体可以实现导通和不导通之间转换
在原子的中心有一个很小的核叫原子核,原子的全部正电荷和几乎全部质量都集中在原子核里,
带负电的电子在核外的空间里绕原子核旋转
原子核所带的单位正电荷数等于核外的电子数
硅 最外层其实可以容纳8个电子，目前只有4个电子
硅原子混在一起， 相当于每个原子核外面都有8个电子，4对共价键，形成硅晶体，非常稳定，导电性差。
N型掺杂：硅中掺杂P磷原子（最外层5个电子），4对共价键之余还多一个电子，该电子受束缚弱，容易移动，导电性增强。
载流子是电子
P型掺杂：硅中掺杂B硼原子（最外层3个电子），只有3对共价键之余还多一个空穴，该电子受束缚弱，容易移动，导电性增强。
别的电子可以移动到这个空穴，相当于空穴移动到了别处，，此时掺杂了少量B硼原子的硅导电性也增加了 。载流子是：空穴
N型掺杂磷电子多，P型掺杂硼空穴多，电子从N型扩散到P型。因而N区失去电子从中性变成正电P区得到电子从中性变成负电，形成左正右负内电场，电子会被吸引到左边。
当电子扩散和电子受力达到平衡时，中间这一区域，叫耗尽层
提供一个外部电池电压，左负-右正+，
当外电场足以抵消内电场时，电子会从负极源源不断涌向正极，此时电路可以导通。
当外电场电池反过来，外部电场与内电场相同，更加加剧电子往左边移动，空穴往右边移动，这样耗尽层加大，就不导通
二、Mos管的工作原理
PN结内建电场的内容
三、讲模电数电进阶内容
B站上有清华大学华成英老师的模电，
上交郑益慧老师的模电，
清华大学王红老师的数电，
东南大学李文渊老师的数电，甚至还有清华大学模电+数电+实验的合辑。
郑益慧老师的课讲的很好，他讲课重原理重基础，会引导学生的发散思维，他和华成英老师的区别是，华成英老师的课需要提前预习，郑益慧老师不预习体验更佳，但是课后一定要过一到两遍书本。华成英老师那个500多页的PPT做的是真好，太完备了