电子元器件介绍
前言
这一节我们学习三极管。
一、晶体管的基础知识
晶体三极管全称为双极结型晶体管。它的基本功能是具有电流放大作用。
上图B是基极，E是发射极，C是集电极
晶体管的四种工作状态：发射结正偏，集电结反偏——放大区。
发射结与集电结均正偏称为饱和区。
发射结与集电结均反偏称为截止区。
发射结反偏，集电结正偏——反向放大区。
数字电路中晶体管主要工作在饱和区与截止区，起开关作用。
半导材料分为硅、锗，通常指硅
二、场效应晶体管
场效应晶体管又称为单极型晶体管。
场效应晶体管可分为三大类：结型栅场效应晶体管（JFET JFET）、肖特基势垒栅场效应晶体管（MESFET) 、绝缘栅场效应晶体管（IGFET) 。这在三类场效应晶体管，无论是对于分立元件或集成电路都是IGFET占主导地位。
1.绝缘栅场效应晶体管
工作原理是利用电场能来控制半导体的表面状态，从而控制沟道的导电能力。根据沟道 的导电类型的不同每类FET又可分为N沟道器件和P沟道器件。
当IGFET用SiO2作为绝缘层时，我们把这种FET称为““金属–氧化物–半导体””场效应晶体管，简称MOSFET。
MOSFET的基本工作原理是通过改变栅源电压 VGS 来控制沟道的导电能力，从而控制漏极电流 ID。因此它是一个电压控制型器件。
三、晶体管和FET比较
