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专栏 《深入理解NAND Flash》
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前言
日本东芝最初发明半导体存储芯片时，认为它就像拍照时的闪光一样迅速，因此命名为闪存(Flash)。如今，我们使用的最常见的形式是NOR闪存和NAND闪存。根据不同的场景，我们使用不同的存储器。 NOR闪存通常用于嵌入式系统，而手机内部存储、PC硬盘和USB快闪等则使用NAND闪存。这些设备中存储的数据通常被读取的次数比写入的次数多，但写入的频率仍然相对较高，因此NAND闪存是更常见的选择。
1 Flash 物理结构
1.1 Flash 是什么？
Flash是一种非易失性存储设备。与易失性存储设备相对应，Flash Memory所存储的数据即使断电也不会丢失。除了Flash，其他常见的非易失性存储设备包括磁盘和光盘等。易失性存储设备就像其名字一样，一旦断电数据就会丢失。常见的易失性存储设备包括内存条，如DDR5等。
最小存储单元
闪存的最小存储单元是“晶体管-栅极-漏极”（Transistor-Gate-Drain，TGD）结构。在这种结构中，栅极上的电子可以控制漏极和源极之间的电荷通量，从而实现存储和读取数据。