首先先明确方法论，求等效电阻有多种方法，这里使用加压求流法，即我们要求从MOS的哪端看进去等效阻抗，就在哪个端口加一个电压源，并将原电路所有独立源置零（电压源短路，电流源断路），根据基尔霍夫电压定律求出外加电压与电流的关系，作比求出等效电阻。下面将给出两个例子帮助理解。
MOS源级视入等效阻抗
注：Ro1指的是MOS管考虑沟道调制效应的等效电阻
MOS漏级视入等效阻抗
利用与MOS源极视入阻抗相似的分析方式，先假设M1的等效电阻为ro1，画出下图的等效模型
当没有M1时，MOS漏极视入阻抗就是ro2。也就是说，一个MOS从漏极看进去的等效电阻就是与沟道长度调制效应有关的输出电阻。这正好验证了M1等效电阻为ro1的假设是成立的。