主要分为两类：内存和闪存，内存的数据掉电会丢失，闪存的数据掉电不会丢失。
内存：SRAM、RAM、SDRAM、DDR
闪存：ROM、FLASH、EMMC
RAM：Random Access Memory 随机存储器，又分为：SRAM（静态随机存储器）和DRAM（动态随机存储器）。随机存取存储器也叫主存，是与CPU直接交换数据的内部存储器。它可以随时读写，而且速度很快，通常作为操作系统或其他正在运行中的程序的临时数据存储媒介。
所谓的“静态”，是指这种存储器只要保持通电，里面储存的数据就可以恒常保持。 然而，当电力供应停止时，SRAM储存的数据还是会消失（被称为volatile memory），SRAM是在片内，直接与CPU接触的，速度非常之快，可以说静态RAM是目前存储最快的设备了，性能这么好，价格贵，所以一般SRAM只用在对存储性能要求很苛刻的地方了，比如CPU的一级缓冲和二级缓冲；
动态随机存取存储器（DRAM）里面所储存的数据就需要周期性地更新，动态随机存储是嵌入式领域最常见的一种存储了，DRAM发展到今天，已经经历了5代了，每一代都会在性能方面有很大的提升，主要是在工作频率和节能方面。
SDRAM：同步动态随机存储器，内存工作需要同步时钟，内部指令的发送和数据的传输都是以此时钟为基准；存储序列需要不断的刷新来保证存储的数据不丢失；数据不是线性一次存储的，而是自由指定地址进行数据的读写。这是第一代DRAM。SDRAM使用的是单端时钟信号。
DDR：准确的将应该叫DDR SDRAM，双倍速率同步动态随机存储器，DDR采用可降低干扰的差分时钟信号作为同步时钟，DDR在时钟的上升沿和下降沿均可进行数据的传输，所以内存的速率是SDRAM的2倍，相同的时间内运行速率更快，用户体验上升了一个台阶。自从DDR出现之后，后面又出现DDR2、DDR3、DDR4，后面出现的性能比前面的就强大很多了，具体表现就是：1、时钟频率提高了，也就是所跑起来更快了，数据传输速率更快了；2.更加节能了，DDR的工作电压为2.5V，DDR2为1.8V，DDR3为1.5V，DDR4为1.2V。
主存（Main memory）即电脑内部最主要的存储器，用来加载各式各样的程序与数据以供CPU直接运行与运用。由于DRAM的性价比很高，且扩展性也不错，是现今一般电脑主存的最主要部分。2014年生产电脑所用的主存主要是DDR3 SDRAM，而2016年开始DDR4 SDRAM逐渐普及化，笔电厂商如华硕及宏碁开始在笔电以DDR4存储器取代DDR3L。
上面就是内存，接下来跟大家讲闪存，闪存的概念和硬盘差不多，就是存储数据，并且机子掉电之后存储的东西不会丢失，那ROM、FLASH和EMMC就是这种东西。
ROM：ROM又可以分为PROM（可编程ROM）、EPROM（可编程可擦除ROM）、EEPROM（电可编程可擦除ROM）。因为ROM整体写入时间较长，写入慢，集成度又不高，于是后面就被FLASH给替代掉了。
所以FLASH是结合了ROM和RAM的有点，不仅具备EEPROM的性能，不会丢失数据，并且可以较快速的读取数据。这里FLASH又可以分为NOR FLASH和NAND FLASH。
eMMC嵌入式多媒体卡（Embedded Multimedia Card）是一种新的存储技术，由MMC协会所订立。该架构标准将MMC组件（闪存加控制器）放入一个小的球栅数组封装（BGA）中，是一种主要用于印刷电路板的嵌入式非易失性存储器系统，具有体积小，功耗低，容量大等优点，非常适合用作智能手机、平板电脑、移动互联网设备等消费类电子设备的存储介质，现在在嵌入式系统中应用的非常广泛。eMMC就是把多媒体存储组件放到BGA封装的芯片里面，这个多媒体组件是Flash，而目前，绝大部分手机和平板等移动设备中所使用的eMMC内部的Flash Memory都属于NAND Flash。
eMMC 则在其内部集成了 Flash Controller，用于完成擦写均衡、坏块理、ECC校验等功能，让 Host 端专注于上层业务，省去对 NAND Flash 进行特殊的处理。
其实EMMC的出现是为了减少研发成本，加快机子上市时间而出现的。对于手机、机顶盒等产品来说，对于每一次产品的研发，都要重新选型NAND FLASH，并且为了适应发展的潮流，每次选的NAND FLASH较之前版本肯定是变了不止一点，所以又要考虑各种兼容性和管理等问题，这样会大大加大研发的工作量和时间，有可能还会推迟产品的上市时间。所以就出现了EMMC这种类似于闪存的东西，EMMC是将所有的存储器和管理NAND FLASH的控制芯片都放在一颗MCP上，而EMMC具有更快速、可升级的优点，手机、机顶盒等厂商可以直接买来一颗EMMC放在自己的产品上使用就OK了，也没有那些繁琐的兼容性等问题。