1. 图解分析法
前提条件:二极管的 I − V I-V I−V特性曲线已知。
缺点:
- 电路中含多个二极管时,解体会变得复杂。
2. 简化模型分析法
能反映二极管正常工作在正偏和反偏的全部特性。
(1) 理想模型
适用情况:电源电压远比二极管的正向管压降大。
① I − V I-V I−V特性曲线:
- 当二极管正向偏置时,管压降为0,相当于短路;
- 当二极管反向偏置时,电流为0,相当于断路。
虚线表示实际二极管的 I − V I-V I−V特性
② 代表符号:
(2) 恒压降模型
适用情况:二极管的电流 i D i_D iD近似等于或大于1mA。
① I − V I-V I−V特性曲线:
- 当二极管导通后,
- 硅管的压降恒为 0.7 V 0.7V 0.7V;
- 锗管的压降恒为 0.2 V 0.2V 0.2V。
- 当二极管正向偏置电压<导通电压 或 外加反向电压,电流为0,相当于断路。。
② 电路模型:
(3) 折线模型
适用情况:同折线模型。
① I − V I-V I−V特性曲线:
- 当二极管导通后,管压降与通过二极管的电流呈线性关系。
② 电路模型:
电池电压 = 门坎电压 V t h V_{th} Vth
锗管:0.5V
硅管:0.7V
(4) 小信号模型
适用情况:二极管正向偏置,且 v D > > V T v_D >>V_T vD>>VT
直流工作状态
静态工作点
微变电阻 r d r_d rd
r d = Δ v d Δ i d r_d = \frac{\Delta v_d}{\Delta i_d} rd=ΔidΔvd
在直流工作的情况下再叠加一个小变化状态,仅考虑小信号变化时所建立的模型。
I − V I-V I−V特性: