一、特殊存储部件
1、寄存器堆
一个寄存器只能记忆一个字，记忆多个字需要多个寄存器
(1)、寄存器堆结构
(2)、双端口寄存器
2、寄存器队列
以先进先出(FIFO)方式用若干寄存器构成的小型存储部件
3、寄存器堆栈
以后进先出(LIFO)方式用若干寄存器构成的小型存储部件
二、随机读写存储器RAM
易失性存储器
分类：
(1)、双极型
(2)、MOS型
①、静态SRAM
②、动态DRAM
1、存储元的结构
(1)、SRAM
写入：
①、数据放在D线上
②、字选择线X高电平(送地址)
③、T5T6导通
④、A=D线
⑤、D=1，T2导通，T1截止，写1
D=0，T2截止，T1导通，写0
⑥、T5T6截止后，状态保留
读出：
①、选择线X高电平(送地址)
②、T5T6导通
③、D线=A
④、取走1或0
(2)、DRAM
依赖电容C记1或0
写入：
①、数据放在D线上
②、字选择线X高电平
③、T1导通
④、D=1，C充电，写1
D=0，C放电，写0
读出：
①、先对CD预充电
②、字选择线X高电平
③、T1导通
④、D=C
⑤、C与CD数据重新分布
工作情况：
DRAM读写控制电路：
2、RAM结构
3、地址译码
存储单元：挂在字线上的所有存储元
(1)、单地址译码
(2)、双地址译码
4、读写控制
SRAM
DRAM
三、只读存储器ROM、FLASH存储器
非易失性存储器
特点：存储固定信息，预先把信息写入到存储器中，在操作过程中，只能读出信息，不能写入
1、掩模式只读存储器ROM
特点：厂家按要求在芯片生产过程中掩模成型
存放引导、监控程序
2、一次编程只读存储器PROM(现场可编程ROM)
特点：用户一次写入
3、多次改写只读存储器EPROM、E2PROM
特点：在专用设备上可改写
EPROM：紫外线擦除
E2PROM：电擦除
4、闪存FLASH
特点：集成度高、读取速度快、再编程次数多
具有E2PROM和RAM的特点
以扇区为单位进行擦除/编程写入
四、存储逻辑及应用
1、掩模ROM
(1)、地址译码器晶体管作用
(2)、存储矩阵二极管作用
即：输入与阵列，输出或阵列
(3)、表示形式
①
②
即：ROM与阵列固定、或阵列可编程
2、ROM的应用
(1)、代码转换器
将4位二进制自然码转换成4位循环码
(2)、比较器
用适当容量的ROM实现两个两位二进制数比较
(3)、数学函数表
用ROM实现以下函数
五、存储器容量扩充
1、位扩展
组成1K8的存储器：
2、字扩展
组成64K?的存储器
3、容量扩展
由2564组成1K8的存储芯片
