记录一下，方便以后翻阅~
学嵌入式还是要懂些电路知识的~
NPN型三极管
由两块N型半导体中间夹着一块P型半导体组成，也称晶体三极管，是电子电路中最重要的器件。三极管的主要功能是电流放大和开关作用，可以把微弱的电信号变成一定强度的信号。
三极管一个关键参数是电流放大系数β。当三极管的基极上加一个微小的电流时，在集电极上得到一个是注入电流β倍的电流，即集电极电流。集电极电流随基极电流的变化而变化，并且基极电流很小的变化会引起集电极电流很大的变化，这就是三极管的放大作用。
以共发射极接法为例（信号从基极输入，从集电极输出，发射极接地），当基极电压UB有一个微小的变化时，基极电流IB也会随之有一小的变化，受基极电流IB的控制，集电极电流IC会有一个很大的变化，基极电流IB越大，集电极电流IC也越大，反之，基极电流越小，集电极电流也越小，即基极电流控制集电极电流的变化。
但集电极电流的变化比基极电流的变化大得多，这就是三极管的放大作用。IC 的变化量与IB变化量之比叫做三极管的放大倍数β（β=ΔIC/ΔIB, Δ表示变化量），三极管的放大倍数β一般在几十到几百倍。
如果集电极电流IC是流过一个电阻Rc的，那么根据电压计算公式U=Rc*Ic可以算得。将该电压取出来，就得到放大后的电压信号了。
使用时还需加偏置电路，原因如下：
1）由于三极管BE结的非线性(相当于一个二极管)，基极电流必须在输入电压大到一定程度后才能产生(对于硅管，常取0.7V)。当基极与发射极之间的电压小于0.7V时，基极电流可认为是0。
但实际要放大的信号往往比0.7V小，如果不加偏置，这么小的信号就不足以引起基极电流的改变(因为小于0.7V时，基极电流都是0)，上图中那个电阻Rb就是用来提供这个电流，所以Rb叫做基极偏置电阻。
2）输出信号范围的要求，如果没有加偏置，那么只有对那些增加的信号放大，而对减小的信号无效(因为没有偏置时集电极电流为0，不能再减小了)。而加上偏置，事先让集电极有一定的电流，当输入的基极电流变小时，集电极电流就可以减小;当输入的基极电流增大时，集电极电流就增大。这样减小的信号和增大的信号都可以被放大。
饱和情况
上图中由于受到电阻Rc的限制(那么最大电流为U/Rc，U为电源电压)，集电极电流是不能无限放大的。当基极电流的增大，不能使集电极电流继续增大时，三极管就进入饱和状态，判断准则是：Ib*β>Ic。
进入饱和状态后，三极管的集电极跟发射极之间的电压将很小，可以理解为一个开关闭合了。
这样可以用三极管当作开关使用：当基极电流为0时，集电极电流为0(三极管截止)，相当于开关断开；当基极电流很大，至三极管饱和时，相当于开关闭合。
PNP型三极管
由2块P型半导体中间夹着1块N型半导体所组成的三极管，也可描述成，电流从发射极E流入的三极管。PNP晶体管的电流和电压都和NPN型晶体管的相反，因此发射极上面那个箭头方向也反了过来。PNP型三极管发射极电位最高，集电极电位最低，UBE<0。
导通时IE=（放大倍数+1)*IB，和ICB没有关系，ICB=0。
ICB>0时，可能三极管有问题，所以三极管在正常工作时，不管是在放大区还是饱和区，ICB=0。
当UEB>0.7V(硅)(锗0.2V)，RC/RB<放大倍数时，三极管工作在饱和区，反之就工作在放大区。