全称为半导体三极管，也称双极型晶体管、晶体三极管，是一种电流控制电流的半导器件，作用是把微弱信号放大成幅度值较大的电信号， 也用作无触点开关。
两个PN结的排列方式有两种：PNP和NPN。
三个端点依序称为射极（emitter, E）、基极（base, B）和集极（collector, C）
1. 区别
NPN 是用 B→E 的电流（IB）控制 C→E 的电流（IC），E极电位最低，且正常放大时通常C极电位最高，即 VC > VB > VE 电流均只跟E极相关；
Vb<Ve 截止状态
Vc>Vb>Ve 放大状态
Vb>Ve Vb>Vc 饱和状态，Ib*β>Ic（max）
PNP 是用 E→B 的电流（IB）控制 E→C 的电流（IC），E极电位最高，且正常放大时通常C极电位最低，即 VC < VB < VE 电流均只跟E极相关；
Vb>Ve 截止状态
Vc<Vb<Ve 放大状态
Vb<Ve Vb<Vc 饱和状态
2. 作用
放大：把微弱的电信号变成一定强度的信号，把电源的能量转换成信号的能量。
开关：工作在饱和和截止区，作为电子开关用；
振荡：配合其他电子元器件构成振荡器电路。
3. 分类
按照结构分：NPN 和 PNP
按照工作频率分：小于3MHz为低频
3MH< Ft<30MHz 为中频
大于30MHz为高频
按照输出功率分：功率小于1W的为小功率管
1W< P<2W 为中功率
大于2W的为大功率
4. 基本参数
特征频率fT：当f=fT时，三极管完全失去电流放大功能。
工作频率大于fT，电路将不正常工作。
工作电压/电流：用这个参数可以指定该管的电压电流使用范围。
hFE：电流放大倍数β。
VCEO：集电极发射极反向击穿电压,表示临界饱和时的饱和电压；
PCM：最大允许耗散功率。
5. 放大电路分析
如下共射放大电路分析如下：
- 分析各个元件的作用
- 理解放大电路的放大原理
- 分析计算电路的静态工作点
- 理解静态工作点的设置目的和方法，先静态再动态
C1 C2为耦合电容，起到交流信号传递的作用，将直流分量隔离，交流信号从前级传递到
后级；
R1 R2为直流偏置电阻，电路要工作，电源一定要是直流电源，所以叫直流偏置。三极管
的三种工作状态“截止、放大、饱和”由直流偏置决定，上图由R1 R2电阻决定。
Uce电压接近电源电压VCC，截止状态，三极管基本不工作Ic电流基本为0；
Uce电压接近0V，饱和状态，Ic达到最大值，Ib增大Ic也不能再增大了因为饱和了；
除了上述两种状态，就是第三种放大状态，Ic的大小受到Ib控制，一般Uce接近VCC的
一半。 这样设置目的分析：
这是为了使信号正负能有对称的变化空间，在没有信号输入时，Uce为电源的一半，作为
一条水平线，作为参考点；
当输入信号增大，则Ib增大，Ic电流增大，则电阻R2的电压U2=Ic&TImes;R2会随之增
大，Uce=VCC-U2，会变小。U2最大理论上能达到等于VCC，则Uce最小会达到0V，
这是说，在输入信增加时，Uce最大变化是从1/2的VCC变化到0V.
当输入信号减小，则Ib减小，Ic电流减小，则电阻R2的电压U2=Ic&TImes;R2会随之减
小，Uce=VCC-U2，会变大。在输入信减小时，Uce最大变化是从1/2的VCC变化到
VCC。这样，在输入信号一定范围内发生正负变化时，Uce以1/2VCC为准的话就有一个
对称的正负变化范围，所以一般图1静态工作点的设置为Uce接近于电源电压的一半。
如何设置：
小功率管：Ic为零点几毫安到几个毫安；
中功率管：Ic为几个毫安到几十毫安；
大功率管：Ic为几十毫安到几安；
假设Ic为2mA，R2=VCC/2/2mA=3K，Ib由β=100~400，则R1=（VCC-0.7）/Ib=56K；
实际上管子的放大倍数可能远远大于100，同时温度会影响Ic的大小，按照上面计算可
能处于饱和状态，故上述电路稳定性差，实际使用较少，改成如下小结描述的分压式偏
置电路，分析计算与实际测量会更加吻合。
6. 偏置电路解说
放大电路中，通常使用电流负反馈偏置电路，下面讲讲偏置电路稳定工作原理。
R1 R2为基极分压电阻为放大器提供基极电流；当Ib变化时Ub（R2电压）基本不变；
R4为发射极电阻，也叫反馈电阻，属于放大电路关键元件；通过电流负反馈作用稳定直
流工作点，当三极管放大电路由于温度上升等因素，使集电极电流Ic保持稳定，稳定原理如下：
适当加大R4的值，反馈越大，稳定性越好；为了减小交流能量在R4上的损耗，增加C3
电容让交流旁路到地，可以提高放大电路的交流增益。
电流负反馈偏置电路具有良好的温度稳定性，选择好合适的偏置电阻阻值，设计好直流
工作点，就可以让放大电路稳定可靠的工作。
具体取值关系：Ic=2mA Uce=0.5Vcc R4=100 推出 R3=2.7K
β=100 推出 Ib=20uA IR1=10Ib=200uA
UR2=Ube+UR4 推出R1=56K R2=4.7K
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