硬件设计是电路设计的基础，这里整理一些平常设计时的一些技巧和摘要，常用的参数等，方便日后索引查找 。
1. STM32芯片中不使用的晶振引脚OSC_IN和OSC_OUT接法
STM32上不使用外部晶振时，OSC_IN和OSC_OUT的接法
1、对于100脚或者144脚的产品，OSC_IN应接地，OSC_OUT应悬空。
2、对于少于100脚的产品，有两种接法：
（1）OSC_IN和OSC_OUT分别通过10K电阻接地。此方法可提高EMC性能。
（2）分别重映射OSC_IN和OSC_OUT到PD0和PD1，再配置PD0和PD1为推挽输出，并输出置0。可以减小功耗，节省电阻。
2. 电源LDO输出 3.3V 选择
RT9013-33GB 3.3V固定输出，低压差400mV@Iout=500mA，Vin=5.5V(Max) SOT-23-5 扩展库
ME6203A33PG 输入可达 30 V LDO ，0.59元 3.3V固定输出，Iout=100mA，Vin=30V(Max) 扩展库
MIC5205-3.3YM5-TR 1.4元 3.3V固定输出，Iout=150mA，Vin=16V(Max) 扩展库
XC6206P332MR 输入6V ,输出200mA 丝印是662K
HT75XX-1 , 输入可达 30 V, 输出 100mA
AMS1117-X.X • Operates Down to 1V Dropout 输入要大于输出1V，如输出 3.3 输入要5V 输出电流 1A
3. 电流大小与宽度
线宽的单位是：Inch（1inch=2.54cm=25.4mm） 100mil = 2.54mm
电流 = 0.15×线宽(W)=A ， 默认常规电路板外层铜箔线路厚度为1oz（35um)
绝缘导线载流量估算如下:
导线截面(mm2 ) 1 1.5 2.5 4 6 10 16 25 35 50 70 95 120
载流是截面倍数 9 8 7 6 5 4 3.5 3 2.5
载流量(A) 9 14 23 32 48 60 90 100 123 150 210 238 300
一般铜线安全计算方法是:
2.5平方毫米铜电源线的安全载流量--28A.
4平方毫米铜电源线的安全载流量--35A .
6平方毫米铜电源线的安全载流量--48A .
10平方毫米铜电源线的安全载流量--65A.
16平方毫米铜电源线的安全载流量--91A .
25平方毫米铜电源线的安全载流量--120A.
如果是铝线,线径要取铜线的1.5-2倍.
如果铜线电流小于28A,按每平方毫米10A来取肯定安全.
如果铜线电流大于120A,按每平方毫米5A来取.
4. 常用过孔参数
- 全通过孔内径要求0.2mm（8mil）及以上，外径的是0.4mm(16mil)以上;
- 要求孔间距0.5mm及以上；过孔不能放置在小于0402电阻容焊盘大小的焊盘上，一般推荐间距为4-8mil；
按照经验PCB常用过孔尺寸的内径和外径的大小一般遵循X*2±2mil（X表示内径大小）。
比如8mil内径 ,可以设计成8/14mil、8/16mil或者8/18mil；
比如12mil的过孔可以设计为12/22mil、12/24mil、12/26mil；
常见尺寸 - 孔径： 24mil 20mil 16mil 12mil 8mil 焊盘直径：40mil 35mil 28mil 25mil 20mil ；12/24；16/28；20/35
5. 关于光耦
该逻辑表中的LED是指发光二级管的状态。
发光二级管压降1.4-1.8v
发光二级管的驱动电流，为If=10-15mA。
两种接法：A.不改变逻辑状态：2引脚接VCC;3引脚接输入信号。
B.逻辑状态相反：2接输入信号，3接地。
其中R的确定方法为：
接法A：,Vcc应该与Vin的高电平相同；其中Vf为发光二极管压降1.4-1.8v，If为发光二级管导通电压10-15mA。
接法B：Vinl为输入信号Vin的高电平电压。
R的取值范围：200-500 ；RL的取值范围：330-4k欧姆。
6.关于旋转编码器EC11
7. 常用MOS管参数
SI2302 N沟道,20V,2.1A,72mΩ@4.5V 1.2V
SI2301CDS P沟道,-20V,-3.1A,112mΩ@4.5V -1V 基础库
2N7002 N沟道,60V,0.5A,7Ω@10V 2.5V 基础库
AO3401A P沟道,-30V,-4.1A,165mΩ@4.2V -1.3V 基础库
FDN335N N沟道,20V,1.7A,70mΩ@4.5V 1.5V
FDN338P P沟道,-2V,-2.8A,112mΩ@4.5V -1V
用2301可进行电源控制
双MOS管组成电子开关：
R2, R1: 47kΩ
C1,: 0.1μF / 6.3V, X5R
C2: 4.7μF / 6.3V, X5R
8. 电容材料
- X7R 电容器被称为温度稳定型的陶瓷电容器。
- X5R 适合做大容量电容。
- X5R、X7R或Y5P都属于Ⅱ类（与Ⅲ类统称为低频陶瓷电容器，国内叫CT型），是用铁电陶瓷做介质的电容器，这类电容比容大，损耗比较大，电气性能较稳定，随温度、电压和时间的变化并不显著，适用于隔直、耦合、旁路与对容量要求不高的电路。
9. 电池
镍镉电池能量比率低，电压低，有记忆效应，对环境有很大污染。但耐高温性能好，生产要求相对更低，价格便宜。寿命一般在充放电500次左右，如果是应急灯等应用（不常用），最少4年可不更换电池。日常生活中的剃须刀，电动理发器，应急灯大部分使用镍镉电池。
镍氢电池是镍镉下一代的充电电池，能量比率相对镍镉有所提升，电压低，略微有记忆效应，对环境有一定污染。价格适中（介于锂电和镍镉之间）。电池寿命在1000次左右。周边的镍氢混合动力汽车，电动模型很多使用镍氢电池。
锂电是目前充电电池的最高水平，但诞生10年，单位材料能量比只提升了10％，一直没有重大突破。锂电池能量比率相对更高，电压高（3.2V/3.7V），没有记忆效应，无污染。价格更高。电池寿命：磷酸铁锂（大部分的电动汽车）在2000次以上。锰酸锂（如大部分的3C电器）大概在500次左右。
锂电池是一类由锂金属或锂合金为负极材料、使用非水bai电解质溶液的电池。锂电池并非是单一的种类，而是锂金属电池和锂离子电池的统称。由于锂金属电池现在已不再被应用，所以我们平常说的锂电池一般指的是锂离子电池。
锂电池分类：聚合物锂电池、三元锂电池、铁锂电池等、型号常见的有，圆柱：18650.26650.32650.21700.14500.14250.....等等型号
分析锂离子电池的性能应该从以下几个方面：（1）容量（续航里程）；（2）功率密度（动力性）；（3）一致性（工作性能）；（4）安全性比如散热性，熔点；（5）循环次数（相对使用寿命）；（6）内部阻抗，比如欧姆电阻和极化电阻（内部损耗）；（7）自放电。
锂电池需带有线路保护板，带有防过充保护板，安全防爆，如果没有，锂电池就会有变形、漏液、爆炸的危险!
从形体上分：圆柱形（Tesla采用松下的NCR18650B，直径18cm长度65cm，0代表圆柱形，不过博主特指出这是消费类电池以及未来可能搞得21700，三星也有一批，还有比较多的是26650，国内最大的圆柱型电池是比克，方壳（比如宁德ATL，目前国内很多都在做），软包（贬褒不一，比上述两个所占市场份额要小很多）；
10. AD15中3D封装库制作
打造属于自己的Altium Designer 3D封装库，不需要懂专门的三维设计软件 - Windworld - 博客园