Write Amplification Analysis in Flash-Based Solid State Drives

Write Amplification Analysis in Flash-Based Solid State Drives

此文发表于2009年

摘要

写入放大是限制基于NAND闪存的存储设备中的随机写入性能和写入耐久性的关键因素。GC对WAF的影响来自于OP 水平和回收策略的选择。在本文中,提出了一种新的基于日志结构的闪存SSD写入放大的概率模型。具体来说,通过量化分析op对WAF的影响,并通过仿真假设均匀分布的随机短写入的工作量。此外,我们提出了贪婪垃圾收集回收政策的修改版本,并比较了它们的性能,最后,我们分析评估分离静态和动态数据在减少写入放大方面的好处,以及如何通过适当的磨损均衡来解决耐久性问题。最后,评估静态和动态数据在减少WAF方面的好处,以及如何通过适当的磨损均衡来解决耐久性问题

第一部分

介绍
使用闪存的这些器件提供数量级的随机I / O性能和访问延迟比旋转硬盘驱动器(HDD)更好。NAND闪存具有独特的特性,这对SSD系统设计提出了挑战,尤其是随机写入性能和写入耐久性方面。
关于NAND性能主要来自out-of-place write的原因,如果使用write-in-place,则由于必要的读取,擦除和重新编程(写入)正在更新数据的整个块,闪存将表现出高延迟。但是,out-of-place write写入需要垃圾收集过程,这会导致额外的读写操作。而在引用文献【The design and implementation of a log-structured file system】中选择块进行垃圾收集的回收策略仅基于要获得的可用空间量

猜你喜欢

转载自blog.csdn.net/keke_Memory/article/details/105222357