理論のパフォーマンスNORフラッシュ

簡単な紹介

NORパフォーマンス最適化のスペースを評価するためには、私は限界、フラッシュ仕様NORのパフォーマンスに基づいて理論値を計算する必要があります。

次のようにそれぞれ特定のモデルを開示すること、ESMT、MXIC、Winbond社、GDの全年代記の4つのメーカーのNOR型フラッシュR **関連プロジェクトを支援、その仕様のパラメータは次のとおりです。

工場	書き込み（ミリ秒）	4K消去（ミリ秒）	32K消去（ミリ秒）	64K消去（ミリ秒）	全体の消去（S）
MXIC	0.33〜1.2	25〜120	140〜650	250〜650	26〜60
Winbond社	0.7〜3	45〜400	〜1600 120	〜2000 150	40〜200
GD	0.5〜2.4	50〜400	160〜800	〜1200 300	50〜120
ESMT	0.5〜3	40〜300	〜1000 200	〜2000 300	60〜200

スペック典型的なタイムテーブルは、最大時間に記録されています。

Flashが持つ特性は、書き込みの前に消去されなければならない、計算を簡単にするために、我々は、例えば消去、損失の書き込み外、に加え無視WREN:Write Enable例えば、伝送損失などを。このように計算され、パフォーマンスがわずかに実際のパフォーマンスよりも高いが、私たちはその性能の直感的な理解を持って聞かせするのに十分だろう。

私は、例えば、理論性能を計算し、高いパフォーマンスのMXIC NORフラッシュにありました

理論性能

キーワードは以下：

EraseTime: 擦除(erase)时间
EraseSize: 擦除的大小
WriteTime: 写(write)时间
WriteCount: 一次擦除可以写多少笔数据
BlockSize: 块大小

機能はFlashが必要としなければならない書き込みの前に消去し、NANDがそう、NORもそう。

コード内Spiffs、我々はのための特別なアプリケーションを見たりしていることができますいくつかの符号ビットが直接書かれ、消去されていません。はい、NOR消去せずに書き込みもサポートされていますが、唯一のサポートは> 0 1-プログラミングは、その記号1-> 0も可能であるビットとしてのみ使用することspiffs。しかし、ほとんどの部分は、順番に失うデータに、我々は消去してから書き込む必要がありません。

消去と書き込み回数に統合されました：

Time(ms)  = EraseTime + WriteTime * WriteCount

NORにおいて、我々は、32K消去ペンデータを書き込むことができるデータ128、1 256 64K消去ペンを書くことができたら、256B（1ページ）の各書き込みデータは、その後、4K消去ペン16回データを書き込むことができると仮定する。

したがって、理論性能は次のようになります。

Speed = EraseSize / (EraseTime + WriteTime * WriteCount)

4K例の消去ブロックサイズにMXIC：

性能 = 4KB / (25ms + 0.33ms * (4KB / 256B)) = 4 KB / 30.28ms = 132.1 KB/s

同様に、計算方法によれば、上記製造業者（KB /秒）以下の我々の理論的なパフォーマンス統計を説明：

工場	4K消去	消去32K	消去64K
MXIC	132.10	176.23	191.34
Winbond社	71.17	153.70	194.41
GD	68.97	142.86	149.53
ESMT	83.33	121.67	149.53

ていることを確認して音符にして上記の理論は計算のスペック標準時間のパフォーマンスに基づいており、実際の使用、消去と書き込み寿命は増加の増加に伴って、時間がかかります。新しいFlashの場合は、その書き込みや消去が少ない時間のかかる仕様の標準時間よりもする必要があります。私は驚くべきパフォーマンス測定はスペックの理論性能よりも若干高くなりますので、ないです。

工場	4K消去
MXIC	131
Winbond社	106
GD	90
ESMT	109

上記の試験性能は、ある動作性能をFS、及び完全にバッファを駆動rawデバイスを介していない、ファイル・システム/ドライブ・キャッシュ・パフォーマンスは依然として比較的大きな衝撃です。ハードウェアに加えて、さらに損失は、ドライバソフトウェアのチェック中フラグ遅延は、精度の若干の損失が発生します。