FL-L NORフラッシュメモリシリーズは、65nmプロセスのフォトリソグラフィーとフローティングゲート技術を採用しています。FL-L シリーズは、シリアル ペリフェラル インターフェイス (SPI) を介してホスト システムに接続します。FL-L シリーズは、従来の SPI ユニット (シングル I/O または SIO) だけでなく、オプションの 2 ビット (デュアル I/O または DIO) もサポートしています。さらに、4 ビット幅のクアッド I/O (QIO) およびクアッド ペリフェラル インターフェイス (QPI) コマンドもサポートします。
FL-L シリーズは、QIO および QPI にダブル データ レート (DDR) 読み取りコマンドを採用し、クロックの両側でアドレスを転送し、データを読み取ります。このアーキテクチャではページ プログラム バッファを採用しており、1 回の操作で最大 256 バイトをプログラムできます。このアーキテクチャは、個別の 4KB セクター、32KB ハーフブロック、64KB ブロック、またはチップ全体の消去も提供します。FL-L NOR フラッシュ メモリは、高密度、柔軟性、高速パフォーマンスを備えており、さまざまなモバイルまたは組み込みアプリケーションで使用されます。
このフラッシュ メモリは、限られたスペース、信号接続、および電源システムに優れたストレージ ソリューションを提供します。さらに、フラッシュ メモリは、RAM のコード マスキング、コードの直接実行 (XIP)、および再プログラム可能なデータの保存に最適です。
このフラッシュ メモリ製品シリーズは、プログラム コードとパラメータ データを最適な方法で保存でき、先進運転支援システム (ADAS)、自動車ダッシュボードおよびインフォテインメント システム、産業用制御およびスマート工場設備、ネットワーク機器、モノのインターネット アプリケーションに最適です。 、ビデオゲーム機、セットトップボックス、その他の高性能アプリケーション。
64Mbit (8-SOIC) NOR フラッシュ メモリ S25FL064LABMFA010、S25FL064LABMFB011、S25FL064LABMFA013 メモリ—— Mingjiada
1. S25FL064LABMFA010 NOR フラッシュ メモリ 64MBIT SPI/QUAD 8SOIC
メモリ タイプ: 不揮発性
メモリ
フォーマット: フラッシュ メモリ テクノロジ: フラッシュ - NOR
ストレージ容量: 64M ビット
メモリ構成: 8M x 8
メモリ インターフェイス: SPI - 4 つの I/O、QPI
クロック周波数: 108 MHz
書き込みサイクル時間 - ワード、ページ: -
電圧 - 電源: 2.7V ~ 3.6V
動作温度: -40°C ~ 85°C (TA)
実装タイプ: 表面実装
パッケージ/ケース: 8-SOIC (0.209 "、幅5.30mm)
サプライヤーデバイスパッケージ: 8-SOIC
2. S25FL064LABMFB011メモリ IC 64M ビット SPI - クアッド I/O、QPI 108 MHz 8-SOIC
メモリ タイプ: 不揮発性
メモリ フォーマット: フラッシュ
テクノロジ: FLASH - NOR
ストレージ容量: 64M ビット
メモリ構成: 8M x 8
メモリ インターフェイス: SPI - クアッドI/O、QPI
クロック周波数: 108 MHz
書き込みサイクル時間 - ワード、ページ: -
電圧 - 電源: 2.7V ~ 3.6V
動作温度: -40°C ~ 105°C (TA)
実装タイプ: 表面実装
パッケージ /ハウジング: 8-SOIC (0.209インチ、幅5.30mm)
3. S25FL064LABMFA013 64Mb NOR フラッシュ SPI - クアッド I/O、QPI 108 MHz 8SOIC
メモリ タイプ: 不揮発性メモリ フォーマット
: フラッシュテクノロジ:
FLASH - NOR
ストレージ容量: 64Mbit
メモリ構成: 8M x 8
メモリ インターフェイス: SPI - クアッド I/ O O、QPI
クロック周波数: 108 MHz
書き込みサイクル時間 - ワード、ページ: -
電圧 - 電源: 2.7V ~ 3.6V
動作温度: -40°C ~ 85°C (TA)
実装タイプ: 表面実装
パッケージ/ケース: 8-SOIC (0.209 インチ、幅 5.30mm)
サプライヤーデバイスパッケージ: 8-SOIC
基本部品番号: S25FL064L