ショットキー・ダイオードが広く、エレクトロニクス業界では、それぞれの人が聞いたことが、スイッチング電源に使用されているショットキー・ダイオードが、私たちは本当にショットキー、アプリケーションの内部構造を理解して、なぜショットキーは広く、高で使用されますスイッチング電源周波数？だから我々は答えを見つけたい一緒にショットキーの世界に私たちをみましょう。
ダイオードの様々なタイプがあります。ゲルマニウムダイオードにプレス材、シリコンダイオード、ガリウム砒素ダイオードは、プレス金型構造は、点接触ダイオードと表面接触ダイオードに分けることができ、異なる用途は、整流ダイオードに分けることができ、検出器ダイオードは、ツェナーダイオード、バラクタダイオード、フォトダイオード、発光ダイオード、スイッチングダイオード、
ファストリカバリーダイオードと、それが接合半導体接合ダイオードと金属 - 半導体接合ダイオード、ショットキーダイオードの種類に応じて分割されたが、金属 - 半導体接合ダイオードに属することができます。
まず、ショットキー・ダイオードの内部構造：
また、（SBDと称する）ショットキーバリアダイオードとして知られているショットキー（ショットキー）ダイオードは、ダイオードは、以下のようになされたものであり、その主な機能は、の順方向電圧降下系半導体に接して形成された金属バリア層の形成されています短い逆回復時間と小さいスイッチング損失、（0.45V程度）小型、低消費電力、超高速半導体装置です。
電界（SIO？の）内部アノード金属（モリブデン又はアルミニウム材料からなるバリア層と同じように）、シリカにより、PN接合ダイオードとは構造的に非常に異なる原理的にショットキーダイオードは、Nの材料を除去します - エピタキシャル層（砒素材料）、N型シリコン基板、N +カソード層と陰極金属等
図に示すように。ショットキー障壁は、N型基板とアノード金属との間に形成されています。双方におけるショットキー障壁は、正バイアス（陽極金属正電源、負電源に接続されたN型基板）で終了したときに、ショットキーバリア層が狭くなると、内部抵抗が小さくなり、逆に、もし両端が逆バイアスショットキー障壁がある場合には、ショットキーバリア層が広く、内部抵抗が大きくなります。
第二に、ショットキー・ダイオードの用途：
私たちは頻繁に使用する電源の切り替えショットキー・ダイオードを、我々はショットキーを選択したときに、しかしにより異なるメーカーのパフォーマンスやその他の理由で大きく異なり、以下のパラメータを考慮する必要があります。
図1に示すように、電圧降下VF
VFは、ダイオードの両端の電圧降下である場合、順方向ダイオード、ときにダイオードを介して大きい電流、VFより大きい;場合ダイオード温度が高く、小さいVF。
2、逆方向飽和リーク電流IR
IRダイオードの両端の逆電圧の付加を指す、ダイオードに流れる電流、ショットキーダイオードの逆方向リーク電流が大きいと、ショットキーダイオードは、小さいIRダイオードを選択するように選択されます。
3、IF定格電流
変換を可能にする平均温度に応じて長時間実行ダイオード、電流値をいいます。
4、最大サージ電流IFSM
過剰の順方向電流が流れることができます。これは、現在、通常ではありませんが、現時点では、この値は非常に大きいです。
第三に、高速リカバリダイオードショットキー比較：
ファストリカバリダイオードの逆回復時間は、ダイオード（以下5us）、ノーマル（0.8〜2V）逆電圧1200V以下よりダイオードの順方向電圧降下が非常に短く、パフォーマンスが速く、超高速の回復に分けることができます100nsの以下に達することができるの回復、。
10nsの以下、大きな逆漏れ電流、低電圧のショットキー・ダイオードの逆回復時間は、通常150V以下の低電圧アプリケーションに使用されています。
ショットキー・ダイオードと高速リカバリ・ダイオードの違い：回復時間よりも、前者が後者の約100倍小さい、かつての逆回復時間は数ナノ秒程度です。前者は、また、利点、低消費電力、高電流、超高速を有し、後者はより高いスイッチング速度を有し、高電圧、低逆漏れは、より高い電圧及び高い周波数の用途に使用することができるが得られます。
ファストリカバリダイオード未満、さらにショットキーダイオードESD能力。