内存地址从AC000H到C7FFFH,共有 K个地址单元，如果该内存地址按字（16bit)编址，由28片存储器芯片构成。已知构成此内存的芯片每片有16K个存储单元，则该芯片每片存储单元存储 位
（1）A.96 B.112 C.132 D.156
(2）A.4 B.8 C.16 D.24
1.C7FFF - AC00 +1 = C8000 -AC000 = 1C000
将16进制转成十进制再除以1024得到112 K
一共112个地址单元 每个地址16位 所以总共需要
16 * 112 位的空间
因此（16 * 112K） / （16K * 28 * x)
得出每片存储单元有x位 x = 4
随机存储器 Random Access Memory
也就是平常说的内存 掉电之后信息就会丢失
动态RAM DRAM 静态RAM SRAM
只读存储器 ROM READ-ONLY MEMORY
MROM (MASK ROM,掩模式ROM)
PROM (Programmable ROM,一次可编程 ROM)
EPROM(Erasable PROM,可擦除的 PROM)
闪速存储器（flash memory , 内存）
静态RAM 用触发器作为存储单元存放1 和0，存取速度快，只要不掉电即可持续保持内容不变。一般静态RAM 的集成度较低，成本较高。
动态RAM 的基本存储电路为带驱动晶体管的电容。电容上有无电荷状态被视为逻辑1 和0。随着时间的推移，电容上的电荷会逐渐减少，为保持其内容必须周期性地对其进行刷新（对电容充电）以维持其中所存的数据，所以在硬件系统中也得设置相应的刷新电路来完成动态RAM 的刷新，这样一来无疑增加了硬件系统的复杂程度，因此在单片机应用系统中一般不使用动态RAM。
静态RAM 的基本存储电路为触发器，每个触发器存放一位二进制信息，由若干个触发器组成一个存储单元，再由若干存储单元组成存储器矩阵，加上地址译码器和读／写控制电路就组成静态RAM。与动态RAM 相比，静态RAM 无须考虑保持数据而设置的
刷新电路，故扩展电路较简单。但由于静态RAM 是通过有源电路来保持存储器中的数据，因此，要消耗较多功率，价格也较高。
