推出全新分立式封装的650V TRENCHSTOP 5 WR6系列，该系列采用TO-247-3-HCC封装，能够实现额定电流分别为20A、30A、40A、50A、60A和70 A的丰富产品组合，可轻松替换前代技术，如TRENCHSTOP 5 WR5、HighSpeed 3 H3技术。该系列针对家用和商用空调系统以及焊接应用的功率因数校正（PFC）进行了优化。
TrenchStop™ 5 WR6开关能够实现极低的导通损耗（25°C时为30 A, 1.45 V）和最低的开关损耗（175°C时为30 A，1.55 mJ）。它们具有1.45 V极低的饱和电压（V CE(sat)）和具有针对目标应用进行正向电压优化的集成逆导型二极管。这使得该系列在具备一流性能的同时，实现较低的物料清单成本。此外，该器件还拥有前代产品（即TRENCHSTOP 5 WR5系列）的性能优势。
650V IKWH50N65WR6XKSA1、IKWH40N65WR6XKSA1（IGBT）—— 明佳达
1、IKWH50N65WR6XKSA1 IGBT晶体管 650V 85A 205W 通孔 PG-TO247-3-32
IGBT 类型：沟槽型场截止
电压 - 集射极击穿（最大值）：650 V
电流 - 集电极 (Ic)（最大值）：85 A
电流 - 集电极脉冲 (Icm)：150 A
不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）：1.85V @ 15V，50A
功率 - 最大值：205 W
开关能量：1.5mJ（开），730µJ（关）
输入类型：标准
栅极电荷：144 nC
25°C 时 Td（开/关）值：40ns/351ns
测试条件：400V，50A，22 欧姆，15V
工作温度：-40°C ~ 175°C（TJ）
安装类型：通孔
封装/外壳：TO-247-3
2、IKWH40N65WR6XKSA1 IGBT晶体管 650V 75A 175W 通孔 PG-TO247-3-32
IGBT 类型：沟道
电压 - 集射极击穿（最大值）：650 V
电流 - 集电极 (Ic)（最大值）：75 A
电流 - 集电极脉冲 (Icm)：120 A
不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）：1.85V @ 15V，40A
功率 - 最大值：175 W
开关能量：1.09mJ（开），570µJ（关）
输入类型：标准
栅极电荷：117 nC
25°C 时 Td（开/关）值：37ns/353ns
测试条件：400V，40A，27 欧姆，15V
反向恢复时间 (trr)：79 ns
工作温度：-40°C ~ 175°C（TJ）
安装类型：通孔
封装/外壳：TO-247-3
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