NAND Flash 失效之 Program Disturb | 闪存写入(编程)干扰 | 写个数据还能误伤已有资料？

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专栏 《深入理解Flash:闪存特性与实践》

全文 3900  字， 内容摘要

1. Program Disturb 形成原因

    NAND Program 原理　

    编程施加电压

2. 写干扰的产生

    Program Disturb　

    Pass Disturb

3. Program Disturb 影响范围

4. Program Disturb 规避办法

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Program Disturb 形成原因

NAND Program 原理

数据在Flash闪存单元中是以电荷(electrical charge) 形式存储的。存储电荷的