写在前面:
在遇到不同介电常数的分界面上时,不管分界面上的净电荷是自右的还是束缚的,都会令
D
或
E
在分界面上发生突变。那么
D
或
E
在分界面上是如何变化的,就需要通过边界条件来判断了。同时,边界也分成了介质与介质之间、和介质与导体之间的。首先,我们就来框框介质与介质的分界面。
一、介质与介质分界面之间
1.1 法向电位移的边界条件
介质与介质的分界面上的电位移边界方程我们可以表述为:
D1
⋅n
−D2
⋅n
=ρs(1)
其中,
D1
就是介质1 内的电位移,
n
就表示分界面的法向量。
ρs 表示的是分界面上的自由电荷的面密度 (注意是自由电荷)。当然,边界方程也可以表示为:
D1n−D2n=ρs(2)
值得说明的一点是:如果题目中没有明确说明分界面自由电荷的面密度
ρs 时,我们就默认两种介质分界面的自由电荷面密度是0,那么此时,电位移的边界方程就可以表示为:
D1n=D2n(3)
上面的分析说明了一件事情:如果在分界面上有自由电荷的存在,那么
D
的法向分量是不连续的。反之,如果分界面上没有自右电荷,那么
D
的法向分量 就是连续的了
1.2 切向电场强度的边界条件
注意,我们在1.1 节讨论电位移的边界方程时,说的是法向方向上的。而现在我们要讨论的电场强度的边界条件是针对切向方向的。如下图所示:
我们有下面的关系:
E1t=E2t(4)
这说明:电场强度在分界面的切向方向是连续的!
1.2.1 电场的折射
大家看看上面这张图片:介质
ε1 中,电场
E1
与法向的夹角是
θ1;在介质
ε2 中,电场
E2
与法向的夹角是
θ2。当分界面没有自由电荷时,根据:
D1n=D2n(即:
ε1E1n=ε2E2n)可知:
ε1E1cosθ1=ε2E2cosθ2
又由:
E1t=E2t 可知:
E1sinθ1=E2sinθ2
两个式子相除,可以得到:
ε11tanθ1=ε21tanθ2
整理一下,可以得到:
tanθ2tanθ1=ε2ε1
这就是所谓的电场折射。注意:
θ1,θ2 是电场与分界面法向方向的夹角!! 我们可以看到,一般来说,电场经过两个不同的介质之后方向一般都会改变(除非是
θ1,θ2=0)
1.3 电势的边界条件
电势的边界方程有两个(别忘了!)下面我们推导一下:
还记得我们刚刚说的电位移的边界条件吗?
D1n−D2n=ρs,根据电位移和电场强度的本构关系:
D
=εE
,因此,我们也可以得到:
Dn=εEn
另外,根据之前的知识我们知道:
En
=−▽Φ=−∂n∂Φan
所以,
En=En
⋅an
。那么,我们有:
En=−∂n∂Φan
⋅an
=−∂n∂Φ
所以,有:
D1n−D2n ε1E1n−ε2E2n −ε1∂n∂Φ1+ε2∂n∂Φ2=ρs=ρs=ρs
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所以,我们得到了电位在边界面上的第一条方程:
ε1∂n∂Φ1−ε2∂n∂Φ2=−ρs(5)
如果分界面的自由电荷的面密度为0,那么可以得到:
ε1∂n∂Φ1=ε2∂n∂Φ2
另外一条特别容易引起忽略的,就是:
Φ1=Φ2(6)
上面的分析说明,在分界面上,电位是连续的。
还需要特别强调的一点就是:如果题目中给出的电位函数例如是
r 的函数,那么我们在用边界方程的时候,需要把
r=边界值带进去
二、介质与导体之间
其实,介质与导体之间的边界条件原型是和介质与介质的方程是一样的,只不过这里对于导体而言,导体内部的场强为0,导体边界是一个等势体。
2.1 电位移边界条件
我们先把原型写出来:
D1n−D2n=ρs
因为导体内的场强是0,因此我们有:
D2n=0,所以上式就变为了:
D1n=ρs
2.2 电场强度的边界条件
同样地,我们把原型写出来:
E1t=E2t
因为导体内部的场强为0,所以,
E2t=0。即:
E1t=E2t=0