【Electromagnetic Field and Electromagnetic Wave】—— 静电场的基本方程(分界面的边界条件分析)

写在前面:

在遇到不同介电常数的分界面上时,不管分界面上的净电荷是自右的还是束缚的,都会令 D \overrightarrow{D} E \overrightarrow{E} 在分界面上发生突变。那么 D \overrightarrow{D} E \overrightarrow{E} 在分界面上是如何变化的,就需要通过边界条件来判断了。同时,边界也分成了介质与介质之间、和介质与导体之间的。首先,我们就来框框介质与介质的分界面。

一、介质与介质分界面之间

1.1 法向电位移的边界条件

介质与介质的分界面上的电位移边界方程我们可以表述为:
D 1 n D 2 n = ρ s (1) \overrightarrow{D_1}\sdot \overrightarrow{n} - \overrightarrow{D_2}\sdot \overrightarrow{n}=ρ_s\tag{1}
其中, D 1 \overrightarrow{D_1} 就是介质1 内的电位移, n \overrightarrow{n} 就表示分界面的法向量。 ρ s ρ_s 表示的是分界面上的自由电荷的面密度 (注意是自由电荷)。当然,边界方程也可以表示为:
D 1 n D 2 n = ρ s (2) D_{1n} - D_{2n} = ρ_s\tag{2}

值得说明的一点是:如果题目中没有明确说明分界面自由电荷的面密度 ρ s ρ_s 时,我们就默认两种介质分界面的自由电荷面密度是0,那么此时,电位移的边界方程就可以表示为: D 1 n = D 2 n (3) D_{1n} = D_{2n}\tag{3}

上面的分析说明了一件事情:如果在分界面上有自由电荷的存在,那么 D \overrightarrow{D} 的法向分量是不连续的。反之,如果分界面上没有自右电荷,那么 D \overrightarrow{D} 的法向分量 就是连续的了

1.2 切向电场强度的边界条件

注意,我们在1.1 节讨论电位移的边界方程时,说的是法向方向上的。而现在我们要讨论的电场强度的边界条件是针对切向方向的。如下图所示:

我们有下面的关系: E 1 t = E 2 t (4) E_{1t} = E_{2t}\tag{4}
这说明:电场强度在分界面的切向方向是连续的!

1.2.1 电场的折射

大家看看上面这张图片:介质 ε 1 ε_1 中,电场 E 1 \overrightarrow{E_1} 与法向的夹角是 θ 1 θ_1 ;在介质 ε 2 ε_2 中,电场 E 2 \overrightarrow{E_2} 与法向的夹角是 θ 2 θ_2 。当分界面没有自由电荷时,根据: D 1 n = D 2 n D_{1n} = D_{2n} (即: ε 1 E 1 n = ε 2 E 2 n ε_1E_{1n} = ε_2E_{2n} )可知: ε 1 E 1 c o s θ 1 = ε 2 E 2 c o s θ 2 ε_1E_1cosθ_1 = ε_2E_2cosθ_2
又由: E 1 t = E 2 t E_{1t} = E_{2t} 可知: E 1 s i n θ 1 = E 2 s i n θ 2 E_1sinθ_1 = E_2sinθ_2
两个式子相除,可以得到: 1 ε 1 t a n θ 1 = 1 ε 2 t a n θ 2 \frac{1}{ε_1}tanθ_1 = \frac{1}{ε_2}tanθ_2
整理一下,可以得到: t a n θ 1 t a n θ 2 = ε 1 ε 2 \frac{tanθ_1}{tanθ_2} = \frac{ε_1}{ε_2}
这就是所谓的电场折射。注意: θ 1 , θ 2 θ_1, θ_2 是电场与分界面法向方向的夹角!! 我们可以看到,一般来说,电场经过两个不同的介质之后方向一般都会改变(除非是 θ 1 , θ 2 = 0 θ_1, θ_2 = 0

1.3 电势的边界条件

电势的边界方程有两个(别忘了!)下面我们推导一下:
还记得我们刚刚说的电位移的边界条件吗? D 1 n D 2 n = ρ s D_{1n} - D_{2n} = ρ_s ,根据电位移和电场强度的本构关系: D = ε E \overrightarrow{D} = ε\overrightarrow{E} ,因此,我们也可以得到: D n = ε E n D_{n} = εE_{n}

另外,根据之前的知识我们知道: E n = Φ = Φ n a n \overrightarrow{E_n} = -\triangledownΦ = -\frac{\partial{Φ}}{\partial{n}}\overrightarrow{a_n}
所以, E n = E n a n E_n = \overrightarrow{E_n}\sdot \overrightarrow{a_n} 。那么,我们有: E n = Φ n a n a n = Φ n E_n = -\frac{\partial{Φ}}{\partial{n}}\overrightarrow{a_n} \sdot \overrightarrow{a_n} = -\frac{\partial{Φ}}{\partial{n}}
所以,有: D 1 n D 2 n = ρ s   ε 1 E 1 n ε 2 E 2 n = ρ s   ε 1 Φ 1 n + ε 2 Φ 2 n = ρ s \begin{aligned} D_{1n} - D_{2n} &= ρ_s\\ \space\\ ε_1E_{1n} - ε_2E_{2n} &=ρ_s\\ \space\\ -ε_1\frac{\partial{Φ_1}}{\partial{n}} + ε_2\frac{\partial{Φ_2}}{\partial{n}} &= ρ_s\\ \end{aligned}

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所以,我们得到了电位在边界面上的第一条方程: ε 1 Φ 1 n ε 2 Φ 2 n = ρ s (5) ε_1\frac{\partial{Φ_1}}{\partial{n}} - ε_2\frac{\partial{Φ_2}}{\partial{n}} = -ρ_s\tag{5}
如果分界面的自由电荷的面密度为0,那么可以得到: ε 1 Φ 1 n = ε 2 Φ 2 n ε_1\frac{\partial{Φ_1}}{\partial{n}} = ε_2\frac{\partial{Φ_2}}{\partial{n}}

另外一条特别容易引起忽略的,就是: Φ 1 = Φ 2 (6) Φ_1 = Φ_2\tag{6}
上面的分析说明,在分界面上,电位是连续的。

还需要特别强调的一点就是:如果题目中给出的电位函数例如是 r r 的函数,那么我们在用边界方程的时候,需要把 r = r = 边界值 带进去

二、介质与导体之间

其实,介质与导体之间的边界条件原型是和介质与介质的方程是一样的,只不过这里对于导体而言,导体内部的场强为0,导体边界是一个等势体。

2.1 电位移边界条件

我们先把原型写出来: D 1 n D 2 n = ρ s D_{1n} - D_{2n} = ρ_s
因为导体内的场强是0,因此我们有: D 2 n = 0 D_{2n} = 0 ,所以上式就变为了: D 1 n = ρ s D_{1n} = ρ_s

2.2 电场强度的边界条件

同样地,我们把原型写出来: E 1 t = E 2 t E_{1t} = E_{2t}
因为导体内部的场强为0,所以, E 2 t = 0 E_{2t} = 0 。即: E 1 t = E 2 t = 0 E_{1t} = E_{2t} = 0

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