绝缘栅型场效应管的基本原理
注意几点：
1.增强型MOS管，DS本来没有导电沟道，必须在GS加电压才能产生沟道。
2.相比结型场效应管，多了一个衬底，和源极S相接。
3.相比结型场效应管，多了绝缘层，导致GS,GD不导通。
4.当GS加上足够正电压，把衬底的空穴往外推，并且产生感应电子区域，与空穴带电相反，所以叫反型层，耗尽层也会相应移动。
#当DS加上正向电压，导电沟道就变形了，很明显GD之间的电压减小了，所以导电沟道又缩小了
#当DS继续增加，导致GD之间电压减小到开启电压时，就出现了预夹断
#DS再增加，则局部夹断，电压增加，但同时电阻变大，所以电流基本不变，进入了一个电流受GS电压控制的一个阶段，叫恒流区
再来看一下耗尽型MOS
N沟道为例：耗尽型与增强型的特点差异就是：在绝缘层掺杂了正离子，也就是不加任何外界电压的情况下，也感应出电子区域，即一条N型导电沟道。
怎么区分场效应管的种类？
箭头是PN结的方向，由衬底指向沟道，说明是N沟道，反之则是P沟道。
增强型是断线，说明加电压才能导通，耗尽型是一条整线，说明本来就已经导通。
绝缘栅型有个衬底，比结型场效应管多一条线，很好判断。
场效应管静态工作点
单管放大电路用了两个电源太浪费，所以有种方式叫自给偏压，从直流通路来看，如果管子导通，那一定是从VDD流向地，Rs上端为正电压，即S为正，而G接地，所以GS为负电压，由正电源产生一个负电压，这就叫自给偏压
然后用电流方程求IDQ,输出回路方程求UDSQ
哪种可以用自给偏压呢？
对于N沟道型，GS需要负电压的，有结型场效应管和耗尽型MOS管
此处的Q点稳定电路与三极管的类似，加了一个Rg3，其作用是在交流通路中，Rg3可以增加输入电阻。但是电阻越大，噪声也越大。
场效应管放大电路动态分析
GS为什么是一个断路呢？因为GS加反向电压，根本没有电流流过，所以等效为开路。gm的意义很重要是GS电压对漏极电流的影响，反过来也用来表达受控电流源的电流大小。
从这里可以看到，场效应管的输入电阻为无穷大，这和晶体管相对应，晶体管由基极电流控制集电极电流，所以基极是有电流的，也就有电阻。但是场效应管从原理上就不一样，是通过GS的电压来控制漏极的电流，栅极没有电流，所以输入电阻无穷大，所以一直在强调“跨导”这个概念，由电压控制电流。
加压求流法求输出电阻↑
复合管
