1.基本的な使い方
機能の切り替えは頻繁に使用されるBJTトランジスタと実際の回路です。スイッチ回路と同様の論理ゲート回路BJTを使用した場合、唯一の飽和領域と遮断領域で動作します。
回線交換機能下記のように実現さは、負荷は、発光ダイオード、モータ等であってもよいです。
図3から10.01
次のように回路の動作を切り替えます：
•場合V Iと、トランジスタがオフする入力0V、負荷R＆LT Lが電流を通過しません。
Vとき• Iは、入力が高い場合（一般的にVに等しいCCトランジスタが飽和状態にオンされ、他のレベルの値を定義することができ、）及び負荷R＆LT Lを流れる電流と負荷の両端の電圧は約Vに等しい有するCCを - V CESAT。
回線交換R Bのデザインのアイデアの値は、以前の論理ゲートに類似しているだけでなく、負荷Rに応じてL実際の状況の、トランジスタが飽和領域Rに入る算出することができるBを以下の実施例で説明したように、その後、検査結果に置き換えて、：
ケース3-10-1：スイッチング回路以下、VでCC実効抵抗= 12V、モータ負荷R＆LT L = 5 [オメガ、トランジスタのベータ] = 100、V主張がIがターンオン5Vの電圧、決定する：（1 ）回路R＆LTの動作可能Bを、電流I（2）負荷Lと負荷電力P L、トランジスタ自体の消費電力（3）。
図3-10.a1
ソリューション：トランジスタが重要飽和状態である（1）：
私のこの重要な飽和電流でCSATです。
私は、重要な飽和状態で計算てBsatの（重要な飽和状態にする場合値]ベータまだ100見なさ）：
これは私なりてBsatは R確立してBsatは次のとおりです。
BJT飽和に深くするために、我々はR＆LT選択B R＆LTよりてBsat小さい値を100Ωを選択するものとします。
検証： R＆LTときBが 100オームであり、I Bは、です。
現在の倍率がある場合には：
可知，在此RB值下，当vi输入5V使BJT导通时晶体管确实处于饱和区，原假设正确。
（2）当晶体管饱和时，负载电流IL为：
负载上的功耗PL为：
（3）晶体管上的耗损功率PD为：
可以看到，晶体管上的耗损功率PD和负载功率PL比起来还是很小的。
（4）补充说明：
本案例中，负载为电动机，一般对于这种含有电感的负载（电动机、继电器线圈等），用晶体管直接去关断比较危险，因为当电感中的电流突变时，电感会产生非常大的感生电动势，严重时可能会超过晶体管的击穿电压而使晶体管损坏。
所以一般的处理方法是在含有电感的负载旁边并联一个反向二极管，从而使得当晶体管关断时，电感中的剩余电流能够有回路泄掉，而不至于突变产生高压，如下图所示：
图3-10.a2
2. 开关特性
由于有内部PN结和少数载流子的存在，所以和二极管一样，BJT晶体管在导通和关断时也不是瞬间完成的，而是有一定的延迟时间，如下图所示：
图3-10.02
• td：延迟时间（delay time），当基极输入变为高电平后，IC从0上升到目标值的10%所需的时间。
• tr：上升时间（rise time），IC从10%上升到90%所需的时间。
• ton：开启时间（on time），ton=ts+tr，当IC从0上升到90%时，我们就可以认为晶体管已基本开启。
• ts：存储时间（storage time），当基极开路或输入低电平后，IC从100%下降到90%所需的时间。
• tf：下降时间（fall time），IC从90%下降到10%所需的时间。
• toff：关断时间（off time），toff=ts+tf，当IC从100%下降到10%时，我们就可以认为晶体管已基本关断。
这些参数在晶体管数据规格书中都会给出，仍以3-8小节的2N4123为例，在规格书的Figure 2中，可读出这些参数值：
图3-10.03
当IC=20mA时，在图中可大致读出：
td = 13ns， tr=13ns， ts = 110ns， tf = 11ns
• 开启时间为：ton = td + tr = 13ns + 13ns = 26ns
• 关断时间为：toff = ts + tf = 100ns + 11ns = 111ns
在要求不太高的功率开关场合，以上的延迟时间基本也够用了。另外有一类晶体管称为开关型晶体管（switching transistor），其开启和关断时间要比上面的值再小一个数量级，都只有十几个纳秒（如BSV52等），具体可参看相关数据规格手册。
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