概要
原理は、本導電性、半導体、およびダイオードのトランジスタ特性をまとめました。
ディレクトリ
半導体
ダイオード
トランジスタ
コンテンツ
半導体
半導体（半導体）は、導体（導体）と絶縁体（絶縁体）との間に介在する材料、実質的IV素子の抵抗です。
シリコン格子（シリコン格子）
全ての電子は、共有結合、GU弱い導電性のシリコンに結合しているからです。余分な電子が共有結合によって結合されていない半導体が呼び出されるように、電子は、負（マイナス）のように定義されているので、ドーピング原子は、電子は、結晶格子内で自由に移動している、ようになりましたV族元素を添加したn型半導体。
取り込みIII族元素場合、以下に示すように、穴を有することになります。
ドーパント濃度変化ので、導電性シリコンにシリコン半導体と呼ばれ、数桁異なります。
ダイオード
原則ダイオードを構成します
示すように、n型シリコンとp型シリコンダイオードとの間の接続は、（ダイオード）が形成されます。
A、K。と略記負電極（陰極、kæθəʊd）と略記する正極（陽極）
ダイオードの電流特性
唯一の図のMultisimのシミュレーションに示すように、一方向に流れる電流できます。
左側の回路において、電流検針0.011Aは、我々は、順方向バイアスが右少し回路に回路を介してダイオード（順バイアス）、順方向電流（順方向電流）ダイオードと呼ばれ、この時点で形成され、得逆バイアス（逆バイアス）。
トランジスタ
次のようにトランジスタ（トランジスタ）は、半導体装置は、拡大又は電気信号のためのスイッチです。
3本のピン、Q1、コレクタ（コレクタ）のQ2の代表は、中間ベース（ベース）を参照することなく、底部が分割NPN型及びPNP型の内部構造に応じて、エミッタ（エミッタ）であり、そこです。
DC増幅トランジスタ特性
図BC547Aトランジスタにかかる電圧0.7Vロジックが閉じていることを、電流が生成されるU2を測定トランジスタのベースとエミッタに示すように、我々が言うことができます。
1.トランジスタ電流利得効果。
効果を切り換える2トランジスタロジック。
トランジスタDCゲイン
DCゲイン（直流電流利得）
上图U1所测电流Ib 和U2所测电流Ic的比值定义为transistor Q1的直流增益hFE，hFE = Ic / Ib，这里FE分别代表Forward current和Emiiter。
三极管的电流关系式
根据电荷守恒定律和电流的定义可知Iemitter = Ibase + Icollector。
参考文献
[1]《数字设计和计算机体系结构》，第二版，ISBN 978-7-111-53451-8
[2]《电子设计从零开始》，第二版，ISBN 978-7-302-23157-8