今天一个同事选型了一个晶振问我能不能用，然后就看了一些电容规格书如下：
一、晶振负载电容定义
晶体元件的负载电容是指在电路中跨接晶体两端的总的外界有效电容，是晶振要正常震荡所需要的电容。此电容的大小主要影响 负载谐振频率 和 等效负载谐振电阻。这个是晶振本身参数，不是外接的谐振电容。一般数据手册上都会写出来，上图中为“CL”。
一般情况下，增大负载电容会使振荡频率下降，而减小负载电容会使振荡频率升高。
公式中Cd、Cg为分别接在晶振的两个脚上和对地的电容，一般应用中 Cd=Cg；为了保持晶体的负载平衡，在实际应用中，一般要求CG=CD
CS（集成电路内部电容）；及上图中的分路电容C0（shunt capacitance）
公式中CG=CD，此器件CS=1.3pF，CL1=2.5pF则上述公式可得下面的结果：
CG = CD = （CL-CS）X 2
CG = CD =（12.5-1.3）X 2=22.4pf
根据CG的组成部分，可以得到：
CG=Ci+CPCB+CL1=22.4pf
Ci—— 需加外晶振主芯片管脚芯到GND的寄生电容 Ci，即上图中的C1参数，取值3.7pf
CPCB—— PCB上电容 一般为3至5pf。
即上图中的Y2，要使用图一所示的晶振，根据公式计算：
C259=C260=22.4-3.7-3=15.7pF
实际使用中选型15pF即可。
贴片电容常用的走线方式：
这里附上一个在线计算的网站：
参数换算|等效串联晶振的负载电容计算公式|匹配电容|技术支持|YXC扬兴官网
在线计算的值没那么准确