ストレージシステムの概要
メインメモリと二次メモリを含むメモリシステム。
分類:ランダム・アクセス・メモリRAM(ランダムアクセスメモリ)は、簡単に失われた情報を格納します。
読出し専用メモリROM(Read Only Memory)と、保存された情報が失われることはありません。
仕様メモリ:容量、速度とパリティ価格。
=記憶装置の記憶容量の数が格納ワード長*(メモリ容量は、バイナリ情報を格納することができる総メモリを指します)
メモリスピード:アクセス時間、データ転送速度とメモリ・サイクル
アクセス時間Taが:経験した運転時間が終了し始めてからメモリ動作を開始することをいいます。
メモリ周期Tmは、2つの連続した動作を開始するために必要な別のメモリとの間の最小時間を意味します。
データ転送速度Bmを:すなわち帯域幅がビットの数時間の単位で読み出し/書き込みメモリを指します。単位:ビット/秒、またはB / S
高度に統合されたDRAMメインメモリチップを作ることが容易では保存されたデータの損失を避けるために、定期的にリフレッシュしなければなりません。
電荷を補うために、再び「1」に、ストレージ容量の指定された動的更新が漏洩経路に沿って漏れます。
3通りの方法でリフレッシュ:
、集中リフレッシュモードのアクセス速度、「デッドゾーン」
B、リフレッシュモード分散がない「デッドゾーン」、長いアクセスサイクルシステム
C、実用的な非同期リフレッシュモード
第二に、 メインメモリ容量が拡張されます。
拡張単語、ビット拡張、単語ビット拡張機能。
接続アドレス線、データ線及び制御線を完了するためにCPUに接続されたメインメモリは、また、チップ間のチップセレクトデコード等に関する。
試験の焦点:増設メモリ接続
ビット拡張接続:全てのチップのアドレス線、チップ選択線は、データ線が描かれている、と並列にそれぞれのラインを読み取ります。
拡張された単語接続:全てのチップ、データ線のアドレスライン、それぞれCPUバスに接続された行を読み取る、チップ選択線の各チップを並列にデコードアドレスの後にハイレベルを使用するようにデコーダに接続されています。
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アドレスバス(AB)、データバス(DB)および制御バス(CB)、まとめてシステムバスと呼ばれるメイン接続を介してCPUに接続されたメインメモリは、三組を含みます。
メモリアドレスレジスタ(MAR)がアクセスされるべきセルを決定する演算部からのプログラム・カウンタ(PC)命令アドレス又はオペランド・アドレスを受信することができます。
メモリデータレジスタ(MDR)は、緩衝部材メインメモリであるか、またはメインメモリからのリードデータにデータを書き込みます。
第三に、つづきます