STM32F4フラッシュデータの保存と読み取り。
STM32 F4のストレージは、F1のストレージとは少し異なります。F4の最小ストレージユニットはセクターであり、F1の最小ストレージユニットはページです。（この方法で消去する場合は違いがあります。F1はPAGESのページ（最小1K）しか消去できませんが、F4はセクターセクター（最小16K）を消去する必要がありますが、F1がファンに影響を与えることができないという利点があります。最大の範囲この領域はこのページのデータではなく、F4はこのセクターのデータに影響します）
STM32の読み取りは比較的簡単で、ポインターで対応するスペースアドレスを直接指すことでデータをフェッチできます。少なくとも4バイトを書き込むことができます。つまり、ワードはストレージユニットです。
u32 STMFLASH_ReadWord(u32 faddr)
{
return *(vu32*)faddr;
}
void STMFLASH_Read(u32 ReadAddr,u32 *pBuffer,u32 NumToRead)
{
u32 i;
for(i=0;i<NumToRead;i++)
{
pBuffer[i]=STMFLASH_ReadWord(ReadAddr);//读取4个字节.
ReadAddr+=4;//偏移4个字节.
}
}
STM32の書き込みは少し面倒です。データを書き込む前に、セクターのデータを0XFFに消去する必要があります。具体的な方法は次のとおりです
。1。割り込みを禁止する
2.フラッシュロック解除、データキャッシュを禁止する
3.セクターの消去とチェック
4.データの書き込み
5.データキャッシュをオンにする、フラッシュロック
7.割り込みをオンにする
uint16_t STMFLASH_GetFlashSector(u32 addr)
{
if(addr<ADDR_FLASH_SECTOR_1)return FLASH_Sector_0;
else if(addr<ADDR_FLASH_SECTOR_2)return FLASH_Sector_1;
else if(addr<ADDR_FLASH_SECTOR_3)return FLASH_Sector_2;
else if(addr<ADDR_FLASH_SECTOR_4)return FLASH_Sector_3;
else if(addr<ADDR_FLASH_SECTOR_5)return FLASH_Sector_4;
else if(addr<ADDR_FLASH_SECTOR_6)return FLASH_Sector_5;
else if(addr<ADDR_FLASH_SECTOR_7)return FLASH_Sector_6;
else if(addr<ADDR_FLASH_SECTOR_8)return FLASH_Sector_7;
else if(addr<ADDR_FLASH_SECTOR_9)return FLASH_Sector_8;
else if(addr<ADDR_FLASH_SECTOR_10)return FLASH_Sector_9;
else if(addr<ADDR_FLASH_SECTOR_11)return FLASH_Sector_10;
return FLASH_Sector_11;
}
void STMFLASH_Write(u32 WriteAddr,u32 *pBuffer,u32 NumToWrite)
{
FLASH_Status status = FLASH_COMPLETE;
u32 addrx=0;
u32 endaddr=0;
if(WriteAddr<STM32_FLASH_BASE||WriteAddr%4)
return; //非法地址
IntsStorage;
StoreDisableInts; //禁止中断
FLASH_Unlock(); //解锁
FLASH_ClearFlag(FLASH_FLAG_EOP | FLASH_FLAG_OPERR | FLASH_FLAG_WRPERR |
FLASH_FLAG_PGAERR | FLASH_FLAG_PGPERR|FLASH_FLAG_PGSERR);
FLASH_DataCacheCmd(DISABLE);//FLASH擦除期间,必须禁止数据缓存
addrx=WriteAddr; //写入的起始地址
endaddr=WriteAddr+NumToWrite*4; //写入的结束地址
if(addrx<0X1FFF0000) //只有主存储区,才需要执行擦除操作!!
{
while(addrx<endaddr) //扫清一切障碍.(对非FFFFFFFF的地方,先擦除)
{
if(STMFLASH_ReadWord(addrx)!=0XFFFFFFFF)//有非0XFFFFFFFF的地方,要擦除这个扇区
{
status=FLASH_EraseSector(STMFLASH_GetFlashSector(addrx),VoltageRange_3);//VCC=2.7~3.6V之间!!
if(status!=FLASH_COMPLETE)break; //发生错误了
}else addrx+=4;
}
}
if(status==FLASH_COMPLETE)
{
while(WriteAddr<endaddr)//写数据
{
if(FLASH_ProgramWord(WriteAddr,*pBuffer)!=FLASH_COMPLETE)//写入数据
{
break; //写入异常
}
WriteAddr+=4;
pBuffer++;
}
}
FLASH_DataCacheCmd(ENABLE); //FLASH擦除结束,开启数据缓存
FLASH_Lock();//上锁
RestoreInts; //开启中断
}
したがって、セクター内のデータを変更する場合は、最初にセクター内のデータを取り出し、次に対応するデータを変更し、最後に保存する必要があります。
構造体データの変更を例にとると、最初にmemcpy関数cpyを使用してデータを出力し、次に構造体を使用してデータをポイントし、次に構造体に新しい値を割り当て、最後にデータを書き込みます。セクターボディデータの他の構造には影響しません。
void UpdateSystemFuncParaData(struct ElevatorFuncPara *elevator_func_parameter)
{
memcpy(ParaBuffer,(u8*)LiftSystemaComParaAddr,520);
struct ElevatorFuncPara *temp_elevator_func_parameter = (struct ElevatorFuncPara*)&ParaBuffer[40];
temp_elevator_func_parameter->AccXBaseCount = elevator_func_parameter->AccXBaseCount;
temp_elevator_func_parameter->CloseLimitOffset = elevator_func_parameter->CloseLimitOffset;
temp_elevator_func_parameter->CloseStartTimeLimit = elevator_func_parameter->CloseStartTimeLimit;
temp_elevator_func_parameter->CloseStopTimeLimit = elevator_func_parameter->CloseStopTimeLimit;
temp_elevator_func_parameter->OpenLimitOffset = elevator_func_parameter->OpenLimitOffset;
temp_elevator_func_parameter->OpenStartTimeLimit = elevator_func_parameter->OpenStartTimeLimit;
temp_elevator_func_parameter->OpenStopTimeLimit = elevator_func_parameter->OpenStopTimeLimit;
temp_elevator_func_parameter->QuitCheckTime = elevator_func_parameter->QuitCheckTime;
STMFLASH_Write(LiftSystemaComParaAddr,(u32*)ParaBuffer,130);
}