フラッシュワークフロー
データ書き込みプロセス：指定されたスペースロック書き込み保護へのフラッシュロック解除消去セクター書き込みデータ;
データ読み取りプロセス：指定されたアドレスから指定された長さのデータを読み取ります。
ソースファイルflash.c書き込み
STMFLASH_GetFlashSector関数を使用して、開始アドレスが書き込まれているセクターを判別し、そのセクターに戻って、セクターを消去します。
uint32_t STMFLASH_ReadWord(uint32_t faddr)
{
return *(__IO uint32_t*)faddr;
}
uint8_t STMFLASH_GetFlashSector(uint32_t addr)
{
if(addr<ADDR_FLASH_SECTOR_1)return FLASH_SECTOR_0;
else if(addr<ADDR_FLASH_SECTOR_2)return FLASH_SECTOR_1;
else if(addr<ADDR_FLASH_SECTOR_3)return FLASH_SECTOR_2;
else if(addr<ADDR_FLASH_SECTOR_4)return FLASH_SECTOR_3;
else if(addr<ADDR_FLASH_SECTOR_5)return FLASH_SECTOR_4;
else if(addr<ADDR_FLASH_SECTOR_6)return FLASH_SECTOR_5;
else if(addr<ADDR_FLASH_SECTOR_7)return FLASH_SECTOR_6;
else if(addr<ADDR_FLASH_SECTOR_8)return FLASH_SECTOR_7;
else if(addr<ADDR_FLASH_SECTOR_9)return FLASH_SECTOR_8;
else if(addr<ADDR_FLASH_SECTOR_10)return FLASH_SECTOR_9;
else if(addr<ADDR_FLASH_SECTOR_11)return FLASH_SECTOR_10;
return FLASH_SECTOR_11;
}
書き込み関数はHALライブラリを使用する必要があります。ロックを解除する前に、まず構造を定義し、書き込みアドレスが有効かどうかを判断してください。次に、ロックを解除し、対応するセクターを消去して書き込みます。消去とは、一度に1つのセクターを消去し、書き込みでは、1つずつ書き込み、最後にロックすることです。
読み取り関数の開始アドレスは、以前に書き込まれたアドレスと同じである必要があり、定義された配列に格納されます。
上記の2つの関数の入力は、開始アドレス、読み書きされる配列、および配列内の数値の数です。
void STMFLASH_Write(uint32_t Addr,uint32_t *pBuffer,uint32_t Num)
{
FLASH_EraseInitTypeDef FlashEraseInit;
HAL_StatusTypeDef FlashStatus=HAL_OK;
uint32_t SectorError=0;
uint32_t addrx=0;
uint32_t endaddr=0;
if(WriteAddr<STM32_FLASH_BASE||WriteAddr%4)return; //非法地址
HAL_FLASH_Unlock(); //解锁
addrx=WriteAddr; //写入的起始地址
endaddr=WriteAddr+Num*4; //写入的结束地址
if(addrx<0X080C1000)
{
while(addrx<endaddr)
{
if(STMFLASH_ReadWord(addrx)!=0XFFFFFFFF) {
FlashEraseInit.TypeErase=FLASH_TYPEERASE_SECTORS; //擦除类型，扇区擦除
FlashEraseInit.Sector=STMFLASH_GetFlashSector(addrx); //要擦除的扇区
FlashEraseInit.NbSectors=1; //一次只擦除一个扇区
FlashEraseInit.VoltageRange=FLASH_VOLTAGE_RANGE_3; //电压范围，VCC=2.7~3.6V之间!!
if(HAL_FLASHEx_Erase(&FlashEraseInit,&SectorError)!=HAL_OK)
{
break;//发生错误了
}
}else addrx+=4;
FLASH_WaitForLastOperation(FLASH_WAITETIME); //等待上次操作完成
}
}
FlashStatus=FLASH_WaitForLastOperation(FLASH_WAITETIME); //等待上次操作完成
if(FlashStatus==HAL_OK)
{
while(WriteAddr<endaddr)//写数据
{
if(HAL_FLASH_Program(FLASH_TYPEPROGRAM_WORD,WriteAddr,*pBuffer)!=HAL_OK)//写入数据
{
break; //写入异常
}
WriteAddr+=4;
pBuffer++;
}
}
HAL_FLASH_Lock(); //上锁
}
void STMFLASH_Read(uint32_t Addr,uint32_t *pBuffer,uint32_t size)
{
uint32_t i;
for(i=0;i<size;i++)
{
pBuffer[i]=STMFLASH_ReadWord(ReadAddr);//读取4个字节.
ReadAddr+=4;//偏移4个字节.
}
}
ヘッダーファイルflash.h
ここでの11セクターは、STM32F407のメインレジスタのセクターに対応しています。
#define STM32_FLASH_BASE 0x08000000 //STM32 FLASH的起始地址
#define FLASH_WAITETIME 50000 //FLASH等待超时时间
//FLASH 扇区的起始地址
#define ADDR_FLASH_SECTOR_0 ((uint32_t)0x08000000) //扇区0起始地址, 16 Kbytes
#define ADDR_FLASH_SECTOR_1 ((uint32_t)0x08004000) //扇区1起始地址, 16 Kbytes
#define ADDR_FLASH_SECTOR_2 ((uint32_t)0x08008000) //扇区2起始地址, 16 Kbytes
#define ADDR_FLASH_SECTOR_3 ((uint32_t)0x0800C000) //扇区3起始地址, 16 Kbytes
#define ADDR_FLASH_SECTOR_4 ((uint32_t)0x08010000) //扇区4起始地址, 64 Kbytes
#define ADDR_FLASH_SECTOR_5 ((uint32_t)0x08020000) //扇区5起始地址, 128 Kbytes
#define ADDR_FLASH_SECTOR_6 ((uint32_t)0x08040000) //扇区6起始地址, 128 Kbytes
#define ADDR_FLASH_SECTOR_7 ((uint32_t)0x08060000) //扇区7起始地址, 128 Kbytes
#define ADDR_FLASH_SECTOR_8 ((uint32_t)0x08080000) //扇区8起始地址, 128 Kbytes
#define ADDR_FLASH_SECTOR_9 ((uint32_t)0x080A0000) //扇区9起始地址, 128 Kbytes
#define ADDR_FLASH_SECTOR_10 ((uint32_t)0x080C0000) //扇区10起始地址,128 Kbytes
#define ADDR_FLASH_SECTOR_11 ((uint32_t)0x080E0000) //扇区11起始地址,128 Kbytes
uint32_t STMFLASH_ReadWord(uint32_t faddr); //读出字
void STMFLASH_Write(uint32_t WriteAddr,uint32_t *pBuffer,uint32_t NumToWrite); //从指定地址开始写入指定长度的数据
void STMFLASH_Read(uint32_t ReadAddr,uint32_t *pBuffer,uint32_t NumToRead); //从指定地址开始读出指定长度的数据
メイン機能を追加する必要があります
電源がオフのときに、保存する6つの数字をこのアドレスに書き込みます。このアドレスは、上記で定義した11個のアドレスの範囲内である必要があります。これを超えると、消去されたセクターが誤って検出され、普通に書いてください。さらに、アドレスはフリーアドレスである必要があり、プログラムの通常の動作に影響を与えることはありません。（格納される6つの数値は8ビットであり、32ビットの書き込みに強制的に変換されます）
if（掉电）
{
uint8_t TEXT[6];
TEXT[0] = Set_A;;
TEXT[1] = Set_B;
TEXT[2] = Set_C;
TEXT[3] = Set_E;
TEXT[4] = Set_F;
TEXT[5] = Set_G;
STMFLASH_Write(0x800C0000,(uint32_t*)TEXT,6);
}
読み取りアドレスは書き込みアドレスと同じである必要があることに注意してください。また、読み取る6つの数値はすべて32ビットであり、必要な数値は8ビットであるため、uint8_tを追加して32ビットに強制します。 、正常に動作し、パワーダウンセーブを実現できるようにします。
if（上电）
{
uint8_t INXT[6];
STMFLASH_Read(0x800C0000,(uint32_t*)INXT,6);
uint8_t Set_A = INXT[0];
uint8_t Set_B = INXT[1];
uint8_t Set_C = INXT[2];
uint8_t Set_E = INXT[3];
uint8_t Set_F = INXT[4];
uint8_t Set_G = INXT[5];
}
初心者の要約
ブログを書くのは初めてですが、主にHALライブラリを使用して書き留めて保存したときに、インターネット上でより包括的な方法を見つけることができなかったため、この機能を組み合わせて、最終的にこの機能を実現しました。ラフな記述もたくさんあります。私を批判して訂正してください。この記事が、HALライブラリを使用して、パワーダウンストレージの不快な問題O（∩_∩）O〜を書くのに役立つことを願っています。