N-canal y de canal P circuitos de conmutación MOS FET

En el circuito común con el MOS FET se utiliza como conmutador utilizando FET. se describirán los siguientes ejemplos.

 

1, utilizando el circuito integrado de diodo del circuito de canal P, donde el papel principal es el efecto diodo de rueda libre, la batería Li carga y descarga es un circuito usando un interno alimentado por batería Li cuando la alimentación externo está apagado, es decir, + 5V se apaga después de Q1 es extremadamente bajas G, S y D poste postes se volvió a encender el sistema. La figura D2 y D3 en el efecto antihipertensivo un lado en que 4V 5V reducida (caída de presión germanio D2 es 0,2 V, la caída de tensión del silicio D3 0,7 V).

 

La figura 2 funciona con la Fig. 1, también diodo de rueda libre construyen utilizando P-canal COMS FET.

 

La figura 3 utiliza un incorporada diodo de rueda libre COMS FET de canal N. Este circuito se aplica a un tiempo de conmutación, cuando el nivel bajo cuando 3.3V_SB Q18, Q19 no está llevando a cabo, los datos de reloj de transferencia de datos de reloj 5V 3.3V no conductor; 3.3V_SB es alto cuando los datos de reloj de 5V a 3.3V datos de reloj .

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