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6N60在TO-220封装里采用的GPP芯片材质，是一款大电流MOS管。6N60的脉冲二极管正向电流(ISM)为24A，栅极漏电流(IDSS)为1uA，6N60的工作时耐温度范围为-55~150摄氏度。6N60的电性参数是：连续二极管正向电流(IS)为6A，漏源电压为600V，二极管正向电压(VSD)为1.4V，其中有3条引线。
6N60参数描述
型号：6N60
封装：TO-220
特性：大电流MOS管
电性参数：6A 600V
芯片材质：GPP
连续二极管正向电流(IS)：6A
脉冲二极管正向电流(ISM)：24A
二极管正向电压(VSD)：1.4V
栅极漏电流(IDSS)：1uA
反向恢复时间(trr)：290NS
工作温度：-55~+150℃
引线数量：3
6N60大电流场效应管封装系列。6N60具有低栅极电荷、低Ciss、快速切换、100% 雪崩测试、改进的dv/dt功能等特性。
以上就是关于6N60-ASEMI的MOS管6N60的详细介绍。强元芯电子是一家集科研开发、制造、销售为一体的国家高新技术企业。12年专注于整流桥、电源IC、及肖特基、快恢复二极管、汽车电子的研发与生产，致力于半导体行业，专注电源领域。
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