在Xilinx FPGA中，块RAM是按照列来排列的，这样保证了每个CLB单元周围都有比较接近的块RAM用于存储和交换数据。与块RAM接近的是硬核乘加单元，这样不仅有利于提高乘法的运算速度，还能形成微处理器的雏形，在数字信号处理领域非常实用。例如，在Spartan 3E系列芯片中，块RAM分布于整个芯片的边缘，其外部一般有两列CLB，如图4-120所示，可直接对输入数据进行大规模缓存以及数据同步操作，便于实现各种逻辑操作。
块RAM几乎是FPGA器件中除了逻辑资源之外用得最多的功能块，Xilinx的主流 FPGA芯片内部都集成了数量不等的块RAM硬核资源，速度可以达到数百兆赫兹，不会占用额外的CLB资源，而且可以在ISE环境的IP核生成器中灵活地对RAM进行配置，构成单端口RAM、简单双口RAM、真正双口RAM、ROM（在RAM中存入初值）和FIFO等应用模式，如图4-121所示。同时，还可以将多个块RAM通过同步端口连接起来构成容量更大的块RAM。
单口RAM，只有一个时钟源clk，WE为写使能信号，en为单口RAM使能信号，SSR为清零信号，ADDR为地址信号，D1和D0分别为写入和读出数据信号
单端口RAM模式支持非同时的读写操作。同时每个块RAM可以被分为两部分，分别实现两个独立的单端口RAM。需要注意的是，当要实现两个独立的单端口RAM模块时，首先要保证每个模块所占用的存储空间小于块RAM存储空间的1/2。在单端口RAM配置中，输出只在 read-during-write模式有效，即只有在写操作有效时，写入到RAM的数据才能被读出。当输出寄存器被旁路时，新数据在其被写入时的时钟上升沿有效。