（一）MCU去耦设计介绍
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1. 概述
我们经常看到单片机或者IC电路管脚常常会放置一个或者多个陶瓷电容，他们主要是为了增强 MCU 电源的电源完整性 PI，降低 PDN阻抗，提高 MCU 的对于噪声的抗扰度，降低 MCU 对外辐射的 EMI。
后面我们简单了解一下去耦电路器件包含狭义上的旁路电容、去耦电容、磁珠电感、以及 LC/PI 滤波器等，了解如何选择合适的器件来搭建高性能去耦电路，提高电路的 PI/SI/EMC 特性。
2. MCU需要去耦的原因
2.1 去耦电路简介
供电电源与 MCU 之间的连接使用了各类电容以及磁珠电感等滤波器件，形成的去耦电路 有三点主要功能，
一是抑制 MCU 内部产生的 EMI 辐射或者疏导外部干扰噪声进入 MCU;
二是提供 MCU 操作和维持电压的瞬态电流;
三是作为信号回流的通道提高信号完整性。
当 MCU 系统级板上的去耦电路不起作用时会出现一下问题:
干扰噪声从外部导入，MCU收到其他的IC的噪声干扰，操作故障;
存在噪声泄露，MCU中的EMI辐射超标;
电源电压波动干扰MCU操作，降低信号完整性，信号线上的噪声叠加; 信号线上回流路径较长，信号完整性降低。
2.2 电源噪声产生的原因
数字IC如MCU大多数使用电路CMOS工艺，通过切换至电源VDD或者接地GND可以 将信号设置为高“1”或低“0”。如图 CMOS 反相器电路简化模型 ，以单个 CMOS 的反相器为例，当 Vin 切换低“0”，上管 PMOS 导通，栅电容充电，Vout 输出高“1”; 当 Vin 切换高“1”，下管 NMOS 导通，栅电容放电，Vout 输出低“0”。当时 CMOS 反相 器高低切换电平时，寄生电流会流经电源 VDD 和接地 GND 如图 2-2. CMOS 反相器寄生 电流，MCU 内部的 CMOS 反相器较多时，寄生电流跳动的非常激烈，很多频率器件如电感，会向外辐射能量造成噪声故障，或者引起外部电源的波动影响其他的 IC。
通常为了控制流经 MCU 电源处的电流，需要在 MCU 的电源引脚和 GND 引脚之间安装 去耦电容，为了形成有效去耦电路，需要主要一下加点:
使用较小的ESR电容，形容可以在高频范围内运行的旁路;
严格限制寄生电流流过的范围，将电容安装在MCU附近;
保持layout的寄生电感较小，尤其IC和电容之间。
2.3 插入损耗
通常滤波器使用插入损耗 IL 来表示对噪声的过滤性能，由于电源的去耦电路也是滤波器的一种，所以其抑制噪声性能可以用插入损耗来表示。
插入损耗 IL 用安装在阻抗为 50Ω 的电路中的滤波器效果来描述，为安装滤波器前后的输 出电压之差，以 dB 为单位。插入损耗越大，静噪效果越好。插入损耗可能由 50Ω 系统的 S 参数的传输系数 S21 的绝对值来代替。如图
2.4 去耦电路简介
旁路电容作为 C 型滤波器(去耦电容)的应用领域较广， C 型滤波器随着电容的阻抗的 减小，插入损耗 IL 就会增加。电容阻抗与频率成反比成为低通滤波器，理想情况下，频率 越高插入损耗越大。
除了 C 型还有 LC 型以及 PI 型滤波器，在 C 型滤波器基础上再在 MCU 远端电源线上串 一个电感/磁珠就成为 LC 滤波器，在 LC 滤波器基础上再远端在并一个电容就是 PI 型滤 波。如图：
当电容器和电感器结合，如图 2-5 MCU 电源滤波器配置(b)和©所示，与只使用电 容器相比，插入损耗特性曲线斜度会更陡。因为在衰减区，插入损耗会同时增加，当噪声 需要大大削弱时，这种方法更为有用。如图 2-6. 加入磁珠以后的滤波器插入损耗实例显 示当加入电感器后，插入损耗的变化实例。
由于 MCU 的 GND 引脚与最近的电容 GND 成为噪声返回路径，所以尽量缩短两者距离来 降低阻抗，当 CLC-PI 型滤波器 layout 时，两侧电容最好走之字使电容 GND 通过 VIA 分 开。因为 PI 型和 LC 滤波对于干扰噪声具有较大的插入损耗，所以在抗干扰 EMS 防护 MCU 时，组合去耦电路的应对强干扰的效果更好。