关于BC1.2协议 每一个从事手机硬件设计的工程师都应该非常了解熟悉，其主要是为了充电端口的识别。然而关于这部分协议，网上有很多的讲解，有讲的很仔细的，也有讲的很粗糙的，小编也是为了学习这部分协议，翻阅了很多资料，最终决定将自己学到的结合自己工作上确实遇到的进行一些简单的描述讲解。
首先先要了解几个名词
SDP：Standard Downstream Port标准下行端口，比如电脑的USB口。这种口的充电能力是0.5A
CDP：Charging Downstream Port带较强充电能力的USB口，比如电脑的USB口(蓝色的口)。这种口的充电能力一般1.5A.
DCP: Dedicate Charging Port专用充电口，比如手机充电器
PD：portable Device便携设备，如手机。
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图示为充电端口检测的框架
充电端口的识别主要分为以下五个步骤：
(1)VBUS Detect
(2)Data Contact Detect
(3)Primary Detection
(4)Secondary Detection
(5)ACA Detection
本文主要讲常见的前四个阶段
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VBUS 检测
在BC1.2开始之前，首先会进行一番VBUS的检测。每一个PD内部都存在一个同相比较器，用于检测VBUS。当适配器接入PD时，只有比较器的VBUS大于参考电压VOTG_SESS_VLD时，VBUS才会有效，随后将会进行后面的操作。
补充说明：因为手机端口USB座子的设计(箭头指向为VBUS引脚)，TYPE C端的VBUS引脚最先接触到手机端(除去GND端)，其次再是数据引脚接触。这也就是为什么充电识别过程中，最先执行的是VBUS detect了。
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DCD检测
Data Contact Detect，数据的连接线检测，即判断适配器是否完全接入手机USB座子。
判断完VBUS接入后，随后即是判断数据信号的连接是否到位。
当Attached时
手机端的D+的IDP_SRC(大概10uA)打开，因为D+端接了一个电阻RDP_DWN(20K左右)下地，所以D+会存在一定的小电压200mV，当电压小于参考值时，说明USB接入良好。所以在波形上看D+最前端存在一个非常小的电压起伏。
然而DCD的检测并不是必须要执行，如果没有执行DCD的检测，协议会在VBUS有效后的T DCD_TIMEOUT开始执行后面的步骤(后面的波形是没有执行DCD检测的情况)。
- 充电端口检测
(1) Primary Detection ：区分SDP与DCP CDP
当PD连接到SDP时，PD设备会打开上端的VDP_SRC 与中间的IDM_SINK，致使D+存在一定的电压(大概0.6V)，也就是图示波形D+在“Primary detection” 中拉高的那部分。之后手机开始检测D-的电压，当D-电压小于VDAT_REF则认为识别到的是SDP。当D-电压大于VDAT_REF，则认为识别到的是DCP或者CDP，后面开始进行二次检测。
SDP
(2)Secondary Detection:区分DCP与CDP
CDP
首次检测完成之后，PD会在D-端打开VDM_SRC，在D+端打开IDP_SINK，同时比较D+端的电压与VDAT_REF，如果小于VDAT_REF。说明接入的设备属于CDP。
DCP
若D+端的电压大于VDAT_REF，说明接入的是DCP,因为D+与D-之间通过RDCP_DAT短接在一起。所以D+与D-电压几乎相似。
在DCP检测完成之后，我们还要检测协议是否支持QC2.0。其会在D+端施加0.6V电压，因为DCP阶段，D+与D-短接在一起，所以D+与D-电压始终一致。在维持1.25s后D+与D-将断开短接，若D-电压跌落至0V并维持一段时间，说明此适配器支持QC2.0。
在D-跌落至0V并维持一段时间后，D+与D-电压继续发生变化，即图示D+ D-最后一个阶段，其按照如下原则，通知充电器，输出对应的电压。
上图波形：D+最终3.3V，D-最终0.6V 所以VBUS被抬高到9V。
总之，根据波形总结，在识别阶段，Primary Detect由D+发起，Secondary Detect由D-发起。SDP DCP CDP三者在波形上的区别，SDP在Primary Detect就被识别，所有永远只有一次位于D+的高电平。DCP由于D+ D-被电阻短接在一起，所以D+与D-永远保持一样的电平状态，两次都位于高电平状态。CDP则是看为二者的波形中和，D+只存在一次高电平，D-存在两次高电平。