一、介绍
1.1 片上eeprom介绍
L0的片上eeprom特性主要用来存储系统的配置信息，f103如果需要存储配置信息，还需要额外的一颗eeprom芯片，片上eeprom的机制也符合这系列的低功耗的属性。
1.2 写eeprom操作
此操作旨在将字或字的一部分写入数据EEPROM。用户必须在正确的地址和大小写正确的值。内存接口在必要时自动执行擦除操作（如果所有位当前都设置为0，则无需在写入之前删除旧内容）。类似地，如果要写入的数据为0，则只执行擦除操作。当只执行写操作或擦除操作时，持续时间为Tprog（3.2 ms）；如果两者都执行，则持续时间为2 x Tprog（6.4 ms）。每次擦除和写入操作都将FIX标志设置为1时，可以强制内存接口执行。
注意的是
- 一般flash擦除后是0xff，而片上eeprom擦除后是0x00
- 一般flash在编程前需要先擦除，而stm32的内存接口自动的执行了擦除操作，无需用户执行额外的擦除指令。
二、编程
//eeprom地址
#define EEPROM_BASE_ADDR 0x08080000
//向偏移地址写入len个字节
void eeprom_write(uint16_t BiasAddress, uint8_t *Data, uint16_t len)
{
uint16_t i;
HAL_StatusTypeDef status = HAL_OK;
HAL_FLASHEx_DATAEEPROM_Unlock();
for(i=0;i<len;i++)
{
status +=HAL_FLASHEx_DATAEEPROM_Program(FLASH_TYPEPROGRAMDATA_BYTE, EEPROM_BASE_ADDR+BiasAddress+i, *Data);
Data++;
}
HAL_FLASHEx_DATAEEPROM_Lock();
}
//向偏移地址读取len个字节
void eeprom_read(uint16_t BiasAddress,uint8_t *Buffer,uint16_t Len)
{
uint8_t *wAddr;
wAddr=(uint8_t *)(EEPROM_BASE_ADDR+BiasAddress);
while(Len--)
{
*Buffer++=*wAddr++;
}
}
三、测试
3.1 测试代码
//测试
printf("开始测试\r\n");
printf("写入eeprom数据：[0]:%x [1]:%x\r\n",eeprom_write_data[0],eeprom_write_data[1]);
eeprom_write(0,eeprom_write_data,2);
HAL_Delay(10);
eeprom_read(0,eeprom_read_data,2);
printf("读取的eeprom数据：[0]:%x [1]:%x\r\n",eeprom_read_data[0],eeprom_read_data[1]);
printf("片上eeprom测试完成\r\n");
3.2测试结果
向0x08080000写入两个字节和从改该地址读取两个的内容一致，测试成功。
