標準SPI、DUAL SPI、クワッドSPI;差NorFlash、NandFlash、のeMMCフラッシュと比較

  1. 標準のSPI

通常、シリアル・ペリフェラル・インタフェース仕様である標準SPI SPIは、前記4本の信号ピンがありますCLK、CS、MOSI、味噌

  1. デュアルSPI

それは、すべてのSPI周辺機器のためではない、唯一のSPIフラッシュのためです。SPIフラッシュのために、全二重は、一般的に使用されていないので、彼らはデータ転送を倍増するために、半二重で動作するように、使用MOSIと味噌を拡張します。MOSIはSIO0(シリアルIO 0)となるように、即ち、デュアルSPIフラッシュのために、コマンド・バイトは、デュアルモード中に送信されても​​よい、MOSIは、1つのクロックサイクルは、2ビットのデータを伝送することが可能となるように、(1 IOシリアル)SIO1になります、データ転送を倍増

  1. どのようなSPI

デュアルSPI等だけでなく、SPIフラッシュ、QUAL SPIフラッシュのためには、2つのI / Oライン(SIO2、SIO3)を追加し、送信の目的は、4つのビットクロックであります

そうSPIフラッシュ、標準SPIフラッシュ、デュアルSPI、QUAL SPI同じクロックで、3線式、4線式、6線に対応する3種類のために、ラインのより数、より高い伝送レート。

ところで:SPIフラッシュは、一般的にNORフラッシュです

(英語:フラッシュメモリ)、フラッシュメモリ、メモリをこすりまたは許可の形で電気的に消去可能なプログラマブル読み出し専用メモリは、運転中に複数回書き込まれます。この技術は、主にメモリカードやコンピュータや他のデジタル製品間のUディスクなどの一般的なデータストレージ、データ伝送・交換のために使用されています。フラッシュメモリだけでは格納されたデータに関しては、不揮発性メモリである、それは消費電力を必要としません。

ハードディスクに比べて、フラッシュメモリは、より良好な動的耐衝撃性を有しています。これらの機能は、広く採用されているモバイルデバイスのフラッシュの原因です。フラッシュメモリは、特性を持っている:高圧および極端な温度に耐えるのに十分である水中に浸漬しても、非常に信頼性の高いメモリカードを作っているとき。フラッシュメモリの書き込み速度が遅く、読み取り速度よりもかなり多いです。

NorFlash

NORフラッシュは、ウェアレベリングに長い時間がかかりますが、それは完全なアドレッシングとデータバスを提供し、古いROMチップを交換することは非常に適したものとするランダム・アクセス・メモリ、上の任意の領域を可能にします。ROMチップは、主にコンピュータのBIOSやSTB(セットトップボックス)ファームウェアとして、コードを更新せず、ほぼ格納するために使用されました。NORフラッシュが書き込みサイクルを拭く10000から1000000回に耐えることができ、それはまた、初期のリムーバブルフラッシュストレージメディアの基礎です。それは、後にNANDフラッシュ・コストを下げるためにスイッチがコンパクトフラッシュは、もともとNOR Flashベースのことです。

NandFlash

東芝の1989年国際固体素子回路会議(ISSCC)で発表されたNANDフラッシュタイプ、外部マスターと回路設計を追加するために、上記のNandFlashにデータを読み書きします。NANDフラッシュは、ワイピング高速書き込み時間を有し、各メモリセル領域は、NANDフラッシュは、ビット当たりの高い記憶密度及びより低いコストでNORフラッシュに比べなるれ、また小さいです。同時に、それはまた、より高いNORフラッシュ十倍以上の回数を消去することができます。しかし、NANDフラッシュI / Oインタフェースおよび外部アドレスバスは、ランダムアクセスではありません、それはブロックの形で読まれなければならない、NANDフラッシュのブロックサイズは、一般的に数百数千ビットです。

ほとんどのマイクロプロセッサおよびマイクロコントローラのランダムバイトがアクセスレベルを必要とするので、NANDフラッシュは、これらのROMローダを置き換えるのに適していません。この観点から、NANDフラッシュは、より多くのCD-ROMのような二次ストレージデバイスのハード一種です。NANDフラッシュメモリカードなどの大容量記憶デバイスに適しています。まず、多くの記憶媒体はまた、マルチメディアカード、セキュアデジタル、メモリースティックとxDでカードを含む、NANDフラッシュを使用して続いた後、スマートメディアは、リムーバブルストレージメディアに基づいてNANDフラッシュである作成します。

EMMC

EMMCメモリeMMC装置(マルチメディアカードを組み込み)MMC協会、eMMC装置等価NandFlash +マスター制御IC、外部インタフェースプロトコルとSD、TFカードで締結し、主に携帯電話やタブレットPCなどの製品のためのメモリ規格を埋め込まれています仕様。eMMCの一つの明確な利点は、携帯電話メーカーは、製品開発と市場の製品発売に短縮時間の他の部分に焦点を当てることができるようになりますように、標準インタフェースおよびフラッシュメモリ管理を提供し、コントローラのパッケージに統合されています。リソグラフィNANDサプライヤーのサイズとコストを削減することにより、希望、同様に重要なのためにこれらの特性。

eMMC埋め込みストレージソリューションは、小型BGAパッケージのMMC(マルチメディアカード)インタフェース、フラッシュメモリ素子(NANDフラッシュ)、メインコントローラ、すべてを有する組成物から成ります。インターフェイスは毎秒52MBytesにスピードアップ、のeMMC高速で、スケーラブルなパフォーマンス。そのインターフェース電圧は1.8Vまたは3.3Vになることができますが。

今、スマートテレビの多くは徐々に放棄さNORまたはNAND、より高度のeMMCチップを使用しますが、従来のプログラミングのeMMCチップを読み書きすることはできませんされた、新開発の高のeMMCチップは費用対効果の高いプログラミングをサポートするようにプログラムされていますが、サポートNORと、NANDチップ、総合的なサポートのための、強力な

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転載: blog.csdn.net/holmeswf/article/details/103970259