ディレクトリ
まず、用語と概念
IC（ICと呼ばれる集積回路）
小さな規模集積回路（SSIと呼ばれる小さな規模集積）
中規模集積回路（MSIと呼ばれる媒体規模集積回路）
LSI（LSIと呼ぶ大規模集積回路）
VLSI（超大規模集積、VLSIと称します）
第二に、ダイオードゲート
2.1ダイオードゲート
最も簡単かつゲート
回路と論理レベルの真理値表
短所：高、低入力及び出力は、低い値が等しくない、ダイオードの順方向電圧降下の差は、入力信号が出力されるドア、信号発生高及び低下あたかも電動オフセットレベル、また、場合グランドへの出力端子に接続された負荷抵抗、負荷抵抗は時々ハイレベルの出力に影響を与える変更します。
上記の欠点は、この質問に答えることができます。
2.2ダイオードOR回路
最も簡単なダイオードOR回路
回路と論理レベルの真理値表
三、CMOSゲート
スイッチング素子として（金属酸化膜半導体電界効果トランジスタ、MOSトランジスタと称する）半導体電界効果トランジスタ - 酸化物 - CMOS回路は、金属集積します。
構造と動作原理3.1 MOSチューブ
P型基板（図B）は、ソースS MOS管（ソース）とドレインD（ドレイン）を形成するために2つの高度にドープされたN型領域を作製し、さらに、ゲート電極G（ゲイン）通常はアルミニウム又はポリシリコン生産。
電圧VdsにおけるDとS極は、電圧Vgs = 0、DおよびS、ID = 0の間には導通を提供し;
D及び提供のVgs> VGS（TH）の電圧VdsにS極、ゲート及び基板に少数キャリアを引き付けるために基板間の電界-電子がゲート下の基板を集め表面反転層がN型で形成されて、反転層がDとSとの間に導電性チャネルを構成するので、フローIDがあると、MOSトランジスタのVGS（TH）の電圧がターンオンされます。
VgsはIdが増加するように導電性チャネルの断面積は、増加し、増加するように、すなわちIdの大きさは、電圧Vgsによって制御することができます。
为防止有电流从衬底流到S极和导电沟道，一般将衬底和源极接在一起，或者接到系统最低电位上。
3.2 MOS管的输入输出特性
如下是MOS管的共源接法，GS作为输入，DS作为输出。
右边的图称为MOS的输出特性曲线，也叫MOS管的漏极特性曲线，有三个工作区域，截止区，可变电阻区，恒流区。
1、截止区，Vgs<Vgs(th)时，D和S之间没有导电沟道，Id=0，DS之间的内阻非常大，可达Ω以上，曲线上Vgs<Vgs(th)的区域称为截止区。
2、当Vgs>Vgs(th)后，D和S之间出现导电沟道，有ID产生，可以分为两个区，一个是可变电阻区，见上图虚线左边区域，在这个区域内，当Vgs一定时，ID和Vds之比近似等于一个常数，类似于线性电阻。等效电阻的大小和Vgs的大小有关，当Vds≈0时，ID和Vgs有如下的关系：
这个公式表面，Vgs>>Vgs(th)时，Ron近似于Vgs成反比。
3、在虚线的右边，叫作恒流区。恒流区的ID由Vgs决定，Vds变化对ID影响很小。此时ID和Vgs有如下的关系：
其中IDS是Vgs=2Vgs(th)时ID的值，这个公式表明，Vgs>>Vgs(th)时，ID与Vgs的平方成正比。
表明ID与Vgs关系的曲线叫MOS管的转移特性曲线。
3.3 MOS管的基本开关电路
当Vi<Vgs(th)时，MOS管工作在截止区， 负载电阻RD远远小于MOS管的截止内阻Roff，输出端即为高电平Voh，Voh≈VDD；
当Vi>Vgs(th)并且Vds在较高的情况下，MOS管工作在恒流区，随着Vi增加，ID增加，Vo减小，这时候电路工作在放大状态。
随着Vi的继续增大，MOS管的导通电阻Ron变的很小（一般在1KΩ以内，小的可以到mΩ级别），RD>>Ron时，输出端为低电平Vol，Vol≈0。
在MOS管关闭状态，即Vi<Vgs(th)时，MOS管截止内阻Roff需要足够大，Roff>>RD；
在MOS管开启状态，一个是Vi>>Vgs(th)（Vi不能超过MOS管Vgs最大值），MOS管的导通内阻Ron足够小，Ron≪RD；
3.4 MOS管的开关等效电路
3.5 MOS管的4种类型
NMOS和PMOS管各有增强型和耗尽型，所以共有4种类型。目前在电子产品中，使用最多的是增强型NMOS，其次是增强型PMOS，耗尽型几乎不用。
对于耗尽型NMOS管，Vgs=0时，D和S之间就有导电沟道，Vgs为正时，导电沟道变宽，ID增大；Vgs为负时，导电沟道变窄，ID减小，当Vgs小于某一个负电压值Vgs(off)时，导电沟道才消失，MOS管截止关闭。Vgs(off)称为耗尽型NMOS管的夹断电压。
对于耗尽型PMOS，Vgs=0时，D和S之间就有导电沟道，Vgs为负时，导电沟道变宽，ID增大；Vgs为正时，导电沟道变窄，ID变小，当Vgs的正电压大于夹断电压Vgs(off)时，导电沟道消失，MOS管截止。
综上，一般开启电压是对增强型NMOS和增强型PMOS来说的，夹断电压是针对耗尽型NMOS和耗尽型PMOS来说的。
