MT28EW01GABA1LPC-0SIT , MT28EW01GABA1HPC-0SIT Os dispositivos de memória flash NOR paralela de 1 Gbit têm alta densidade, desempenho de execução no local (XiP) e flexibilidade arquitetônica para atender aos requisitos de design de produtos automotivos, de consumo e móveis. O dispositivo é ideal para GPS/navegação, câmeras retrovisoras automotivas, telefones celulares, smartphones e e-readers. O dispositivo também apresenta uma ampla faixa de temperatura, um histórico comprovado de confiabilidade e exposição de longo prazo a ambientes industriais hostis.
Esses dispositivos flash NOR paralelos podem operar no modo de página para executar o código diretamente do dispositivo, minimizando o tempo de inicialização do sistema. Portanto, o dispositivo é ideal para aplicações de alto desempenho ou processos intensivos. O dispositivo possui uma opção de segurança de dados e é ideal para uso de longo prazo em aplicações industriais.
Especificações do Dispositivo:
Tipo de Memória: Memória Não Volátil
Formato: Flash
Tecnologia: FLASH - NOR
Capacidade de Armazenamento: 1Gbit
Organização da Memória: 128M x 8, 64M x 16 Interface de Memória: Tempo de Ciclo de Gravação
Paralela - Word, Página: 60ns Tempo de Acesso: 95 ns Tensão - Alimentação: 2,7V ~ 3,6V Temperatura de operação: -40°C ~ 85°C (TA) Tipo de montagem: Montagem em superfície Pacote/caixa: 64-LBGA Pacote do dispositivo do fornecedor: 64-LBGA (11x13) Número do produto básico: MT28EW01
(1Gbit) MT28EW01GABA1LPC-0SIT, MT28EW01GABA1HPC-0SIT FLASH - NOR Memory Mingjiada
Características:
• Baixa densidade, baixa contagem de pinos (serial)
• Fácil de usar
• Código confiável e armazenamento de dados
• Leitura rápida e tempos de acesso aleatório
• Alta resistência e retenção de dados
Nota: Parte do conteúdo e imagens deste artigo são da Internet e os direitos autorais pertencem ao autor original. Se houver alguma violação, entre em contato para excluir!