FRAM強誘電体ランダムアクセスメモリは、電源がオフの場合でもデータを保持できる、一種の不揮発性ランダムアクセス強誘電体メモリです。FRAMはデータを保持でき、バックアップバッテリーを必要としないだけでなく、書き込み、読み取り、書き込みの耐久性と電力消費パフォーマンスにも大きな利点があります。
FRAM製品は2つのシリーズに分けることができます。SOP / SONなどのパッケージ製品として提供される「独立メモリ」、RFID内蔵FRAMや検証LSIなどの「RFID内蔵LSI」。
お客様の要件に応じてアプリケーションの利点とパフォーマンスを最大化するFRAM組み込みカスタムLSIを開発して提供します。
富士通は、54Mバイト/秒のデータ転送速度を開発しました。Quad SPIインターフェイスの不揮発性RAM市場で最大容量のMB85RQ4ML 4MビットFRAM。
速度伝達データ比較
MB85RQ4MLは、強誘電体プロセスとシリコンゲートCMOSプロセステクノロジを使用して不揮発性メモリセルを形成するFRAM（強誘電体ランダムアクセスメモリ）チップです。クアッドシリアルペリフェラルインターフェイス（QSPI）を使用すると、4本の双方向ピン（クアッドI / O）を使用して、54 MB /秒での読み取りや書き込みなどの高帯域幅を実現できます。
MB85RQ4MLは、SRAMに必要なバックアップバッテリーを使用せずにデータを保持できます。待ち時間なしで高帯域幅でデータを書き込むことができ、ネットワーク、ゲーム、産業用コンピューティング、カメラ、RAIDコントローラーに非常に適しています
MB85RQ4MLは、1.8Vの独立した電源、Quad SPIインターフェイスを使用し、動作周波数108MHzで54Mバイト/秒のデータ伝送を実現します。富士通の伝統的な製品の中で、16ピン入出力ピンを備えた44ピンパラレルインターフェース4MビットFRAMは13Mバイト/秒と最速であり、この製品は少ないピンで4倍の速度に相当するデータを実現します読み書き。
MB85RQ4MLは、その高速動作と不揮発性の特性により、ネットワーク、RAIDコントローラー、産業用コンピューティングの分野で最高の選択肢となっています。