1. Zusammenfassung der Methoden zum Schalten von Netzteilen zur Reduzierung von elektromagnetischen Störungen
2. 22 Entwurfstechniken zur Vermeidung elektromagnetischer Störungen beim Entwurf von Schaltnetzteilen
Als im Schaltzustand arbeitendes Energieumwandlungsgerät ist die Spannungs- und Stromänderungsrate des Schaltnetzteils sehr hoch und die erzeugte Störintensität relativ groß; die Störquellen konzentrieren sich hauptsächlich während der Leistungsschaltperiode und des Strahlers und Daran ist ein Hochspannungstransformator angeschlossen. Die Position der Schaltungsstörungsquelle ist relativ klar, die Schaltfrequenz ist nicht hoch (von mehreren zehn Kilohertz bis zu mehreren Megahertz) und die Hauptstörungen sind Leitungsstörungen und Nahfeldstörungen; Während die Verkabelung auf Leiterplatten (PCB) normalerweise manuell erfolgt, weist sie eine größere Willkür auf, was die Extraktion von PCB-Verteilungsparametern und die Schätzung von Nahfeldstörungen erschwert.
Innerhalb von 1 MHz - hauptsächlich Differenzmodusstörungen, die durch Erhöhen des X-Kondensators behoben werden können
1 MHz --- 5 MHz --- Differenzmodus und Gleichtakt gemischt, verwenden Sie den Eingangsanschluss und eine Reihe von X-Kondensatoren, um die Differenzstörung herauszufiltern und zu analysieren, welche Art von Störung den Standard überschreitet, und lösen Sie sie; 5 M --- das oben genannte Dabei handelt es sich hauptsächlich um häufige Störungen, wobei die Methode zur Unterdrückung gemeinsamer Berührungen verwendet wird. Bei geerdetem Gehäuse führt die Verwendung eines Magnetkreises auf der Erdungsleitung für 2 Windungen zu einer stärkeren Dämpfung von Störungen über 10 MHz (diudiu2006); bei 25–30 MHz ist dies möglich Zur Erhöhung der Erdung können Y-Kondensatoren verwendet werden, Kupferhaut auf die Außenseite des Transformators wickeln, PCBLAYOUT ändern, einen kleinen Magnetring mit zwei Drähten parallel vor der Ausgangsleitung anschließen, mindestens 10 Windungen, und RC-Filter an beide anschließen Enden der Ausgangsgleichrichterröhre.
30–50 MHz werden im Allgemeinen durch schnelles Ein- und Ausschalten von MOS-Röhren verursacht. Dies kann durch Erhöhen des MOS-Antriebswiderstands, der RCD-Pufferschaltung mit langsamen Röhren 1N4007 und der VCC-Versorgungsspannung mit langsamen Röhren 1N4007 gelöst werden Röhren.
100–200 MHz werden im Allgemeinen durch den Rückstrom der Ausgangsgleichrichterröhre verursacht, und magnetische Perlen können auf der Gleichrichterröhre aufgereiht werden
Zwischen 100 MHz und 200 MHz sind die meisten von ihnen PFC-MOSFETs und PFC-Dioden. Jetzt sind MOSFETs und PFC-Dioden wirksam. Die horizontale Richtung kann das Problem grundsätzlich lösen, aber die vertikale Richtung ist sehr hilflos.
Die Strahlung von Schaltnetzteilen wirkt sich im Allgemeinen nur auf das Frequenzband unter 100 M aus. Es ist auch möglich, MOS und Dioden mit entsprechenden Absorptionsschaltungen zu versehen, die Effizienz wird jedoch verringert.
Maßnahmen zur Verhinderung elektromagnetischer Störungen beim Entwurf von Schaltnetzteilen
1. Minimieren Sie den PCB-Kupferfolienbereich der verrauschten Schaltungsknoten, wie z. B. Drain und Kollektor der Schaltröhre, die Knoten der Primär- und Sekundärwicklungen usw.
2. Halten Sie die Eingangs- und Ausgangsklemmen von rauschbehafteten Komponenten wie Transformatorkabelpaketen, Transformatorkernen, Kühlkörpern von Schaltröhren usw. fern.
3. Halten Sie rauschende Komponenten (z. B. ungeschirmte Transformatordrahtwicklungen, ungeschirmte Transformatorkerne und Schaltröhren usw.) vom Rand des Gehäuses fern, da sich der Rand des Gehäuses unter normalen Bedingungen wahrscheinlich in der Nähe des äußeren Erdungskabels befindet Betrieb.
4. Wenn der Transformator keine elektrische Feldabschirmung verwendet, halten Sie die Abschirmung und den Kühlkörper vom Transformator fern.
5. Minimieren Sie die Fläche der folgenden Stromschleifen: Sekundärgleichrichter (Ausgang), primäres Schaltnetzteil, Gate-Ansteuerleitung (Basis), Hilfsgleichrichter.
6. Mischen Sie die Rückkopplungsschleife des Gate-(Basis-)Antriebs nicht mit dem primären Schaltkreis oder dem Hilfsgleichrichterkreis.
7. Stellen Sie den optimalen Dämpfungswiderstandswert so ein, dass während der Totzeit des Schalters kein Klingelgeräusch entsteht.
8. Verhindern Sie eine Sättigung der EMI-Filterinduktivität.
9. Halten Sie den Wendeknoten und die Komponenten des Sekundärkreises von der Abschirmung des Primärkreises oder dem Kühlkörper der Schaltröhre fern.
10. Halten Sie Schwenkknoten und Komponentenkörper des Primärkreises von Abschirmungen oder Kühlkörpern fern.
11. Bringen Sie den EMI-Filter für den Hochfrequenzeingang nahe am Eingangskabel- oder Steckerende an.
12. Halten Sie den EMI-Filter für den Hochfrequenzausgang in der Nähe der Ausgangskabelklemmen.
13. Halten Sie einen gewissen Abstand zwischen der Kupferfolie der Leiterplatte gegenüber dem EMI-Filter und dem Bauteilkörper ein.
14. Setzen Sie einige Widerstände in die Gleichrichterleitung für die Hilfsspule ein.
15. Schließen Sie den Dämpfungswiderstand parallel zur Spule des Magnetstabs an.
16. Schließen Sie Dämpfungswiderstände parallel zum Ausgangs-HF-Filter an.
17. Beim PCB-Design ist es erlaubt, 1nF/500V-Keramikkondensatoren oder eine Reihe von Widerständen einzusetzen, die zwischen dem primären statischen Ende des Transformators und der Hilfswicklung angeschlossen sind.
18. Halten Sie den EMI-Filter vom Leistungstransformator fern; vermeiden Sie insbesondere die Positionierung am Ende der Wicklung.
19. Wenn die Leiterplattenfläche ausreichend ist, können die Stifte für die abgeschirmte Wicklung und die Position für den RC-Dämpfer auf der Leiterplatte belassen werden und der RC-Dämpfer kann über die beiden Enden der abgeschirmten Wicklung angeschlossen werden.
20. Wenn es der Platz zulässt, platzieren Sie einen kleinen Radialleitungskondensator (Miller-Kondensator, 10 pF/1 kV-Kondensator) zwischen Drain und Gate des Schaltleistungs-FET.
21. Platzieren Sie einen kleinen RC-Dämpfer am DC-Ausgang, wenn der Platz es zulässt.
22. Platzieren Sie die Wechselstromsteckdose nicht in der Nähe des Kühlkörpers der primären Schaltröhre.