1 dram 和 sram 的具体结构是什么，为什么一个要刷新一个不需要
dram 结构： https://www.cnblogs.com/wander-clouds/p/9088028.html
sram 中有电源 vdd，所以不需要刷新操作，能一直维持数据稳定，
dram 是靠电容存储，会存在漏电，所以要有刷新操作；
所谓刷新，就是数据读出来，然后重新写进去；读 dram 后电容的 电压会被破坏，也需要重新写进去
由于sram 容量小（结构复杂），读写速度快（不需要刷新），一般用在片上cache； dram 一般用在内存
2 sdram ,ssram 中的 s（sync）是什么？
本例是 ssram 的实际构造，可以看到 sram（或者dram） 本身是 异步逻辑（从问题1 的实际结构中也可以看到异步逻辑），此处添加了 counter/address reg 模块来与外部时钟同步，所以整个模块变成了 同步模块
3 为什么 eeprom 可以长时间保存？
当控制栅相当于漏极+21V电压时，由于电容耦合，浮栅上形成一个正电位，使隧道氧化层中的电场可达10^7V/cm以上，这样便会发生Fowler-Nordheim隧道效应，电子通过氧化层对浮栅充电。这种隧道效应是可逆的，若控制栅接地，漏极加21V电压，则电子从浮栅穿过隧道氧化层跑到漏极，使浮栅放电
也就是说： 只要 漏极 和 控制栅 压差足够大，就会发生 隧道效应 导致 浮珊 充放电，压差变小后逻辑01就保存在了栅极上
rom 文章可参考：https://blog.csdn.net/mjf110107110/article/details/80177302
4 nor flash 和 nand flash 区别
flash 全称是 flash eeprom，是eeprom的电路简化版，提高了存储密度
eeprom 与 flash 应用场景的区别 https://blog.csdn.net/mjf110107110/article/details/80177302
eeprom 与 flash 区别 https://zhidao.baidu.com/question/1759411228269089268.html
eeprom （随机读写任意地址，没有擦除操作，操作简单） 电路复杂，容量最小， 价格最贵， 可擦写次数100w， 存储运行中的配置参数
nor flash 典型应用是 bios芯片， 特点是 可上电启动， (随机读取任意地址的信息,按块擦除，按块写入) 容量小，速度慢，价格贵， 可擦写次数10w， 一般用来做 启动或者存储关键参数用于系统恢复
nand flash 典型应用是 emmc，固态硬盘等 ，特点是 不能上电运行代码（不能随机读取任意地址，只能按块读取到ram中再随机读取，按块擦写）， 容量大，速度快，便宜， 可擦写次数100w， 用于一般的大容量存储
所有的 flash 都是要 按块擦除，按块写入。
emmc 构造 https://blog.csdn.net/woshishui918/article/details/85056958
flash 工作原理 https://blog.csdn.net/sunflowerfsw/article/details/52278792