模拟电路:晶体管的结构

概述

双极性晶体管可以视为一个电压控制的电流源,如下图所示,放大增益为 A V = − K R L A_V=-KR_L AV=KRL,增益只和负载电阻和受控电流源的特性有关,和输入内阻 r i n r_{in} rin无关
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双极性晶体管的结构

Active模式下的双极性晶体管

  1. 某些情况下,三极管可以看作是 I E C I_{EC} IEC受到 V B E V_{BE} VBE的电流源
  2. V B E > 0 V B C < 0 V_{BE}>0\quad V_{BC}<0 VBE>0VBC<0的时候称为晶体管在Active mode,当集电极接地的时候,基极电压设置在0.8V左右,集电极设置在更到的电压比如1V左右

集电极电流

I C = I S exp ⁡ ( V B E V T ) I S = A E q D n n i 2 N B W B I_C=I_S\exp(\frac{V_{BE}}{V_T})\quad I_S=\frac{A_EqD_nn_i^2}{N_BW_B} IC=ISexp(VTVBE)IS=NBWBAEqDnni2

基极和发射极电流

I B = 1 β I C I E = I C + I B I_B=\frac{1}{\beta}I_C \quad I_E=I_C+I_B IB=β1ICIE=IC+IB

大信号模型

可以将三极管等效为一个二极管和一个受控电流源,
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IV特征曲线

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跨导

g m = I C V T \Large g_m=\frac{I_C}{V_T} gm=VTIC
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小信号模型

厄利效应

饱和状态下的晶体管

PNP晶体管

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