NAND フラッシュ障害のプログラム障害 | フラッシュ書き込み (プログラミング) 障害 | データの書き込みにより、既存のデータが誤って損傷する可能性がありますか?

公的な知識と経験に基づいて丹念に整理し、原本を保護し、転載を禁止します。

コラム「フラッシュを深く理解する フラッシュメモリの特徴と実際の使い方」

全文3900語、内容概要

1. プログラムディスターブの原因

    NAND プログラムの原則　

    プログラム印加電圧

2. ライトディスターブの発生

    プログラムディスターブ　

    パスディスターブ

3.番組妨害の影響範囲

4. Program Disturb回避方法

---

プログラムディスターブの原因

NAND プログラムの原則

データはフラッシュメモリユニットに電荷の形で保存されます。蓄積電荷