推荐STM32F030K6T6国产兼容替换芯马XM1008K6T6
STM32F030K6T6的介绍
意法半导体MCU型号STM32F030K6T6，基于超低功耗的 ARM Cortex-M0 处理器内核，具有高性价比。该系列MCU缩短了采用 8 位和 16 位MCU的设备与采用 32 位MCU的设备之间的性能差距，能够在经济型用户终端产品上实现先进且复杂的功能，被广泛应用在各行业领域。
微控制器采用高性能的内核M0的48兆赫兹32位RISC内核，并高速嵌入式SRAM存储器以及广泛的增强型外设和I / O。所有微控制器器件均提供标准通信接口，一个12位ADC，七个通用 16位定时器和一个高级控制PWM定时器。STM32F030K6T6微控制器工作电压2.4至3.6V和工作温度范围-40至+85°C内工作。具有全面的省电模式，可用于设计低功耗应用。此款型号可用深圳芯马科技XM1008K6T6进行1:1 兼容替换。
XM1008K6T6不仅仅是全替代
- 更多的SRAM：嵌入高达32Kbytes flash和8Kbytes SRAM。打破行业内Flash和SRAM比例，采用4:1 高比值，
- 2路Uart：更多的外设资源（8个Timer、2个Usart）提高用户体验和性价比。
- 更宽的电压：支持2V~5V
- 更高的ESD性能：可达到4000V
- RTC能兼容的晶振更多
XM1008K6T6的几个小突破
- 不修改软件替换，可达到100%完美替换
- M0内核Coremark 跑分和ST一致，内核不会变慢（真正做到性能替换）
- ADC精度
- ESD可以到4KV，SRAM带奇偶校验可靠性指标
- flash 擦写保证2万次，寿命常温到100年
XM1008K6T6的产品特性
存储器
高达 32KByte 的 Flash 存储器。支持 0 等待（频率不高于24MHz）
高达 8KByte SRAM，附带奇偶校验，增强系统的稳定性
工作电压范围
双电源域：主电源 VDD 2.0V ~ 5.5V、备份电池电源 VBAT 1.8V ~ 5.5V当主电源 VDD 掉电时， RTC 模块可继续工作在 VBAT 电源下工作
灵活的功耗管理系统
Stop 待机功耗:[email protected]
Standby 待机功耗:[email protected]
工作温度范围
-40ºC ~ 105ºC 或者 -40ºC ~ 85ºC
时钟模块
̶ 内部高速振荡器8MHz
̶ 内部高速振荡器14MHz
̶ 内部低速振荡器40KHz
̶ 外部高速晶振4~32MHz
̶ 外部低速晶振32.768KHz
̶ PLL, 最高 48MHz
复位
外部管脚复位
上电复位
软件复位
看门狗（IWDT 和 WWDT）复位
低功耗模式复位
一个 12 位 SAR ADC 转换器
̶10 个外部模拟信号输入通道
̶最高转换器频率： 1Mbps
̶支持自动连续转换、扫描转换
RTC
̶日历功能，当主电源关闭时候可以保存20 bytes的数据
5通道DMA
定时器
̶TIM1 高级控制定时器，有6 通道 PWM 输出，死区和刹车等功能。
̶TIM2/TIM3/TIM14/TIM15/TIM16/TIM17 通用定时器
̶TIM6基本定时器
̶24位SystemTick 计时器
̶两种WDT
通用外设接口
̶1路SPI接口：最快支持16MBit/s, 4~16 Bit帧格式，不支持I2S
̶2路USART：其中一路具有ISO7816 接口、LIN、IrDA ，自动波特率检测和支持Stop唤醒
̶1路I2C：一路支持快速模式1MBit/s ,支持SMBus/PMBus，支持Stop唤醒
封装
—LQFP32